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삼성, 향후 5년간 450조 투자·8만명 신규 채용한다

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Tuesday, May 24, 2022, 15:05:45

'역동적 혁신성장을 위한 삼성의 미래 준비' 발표
반도체·바이오·신성장 IT정보통신 분야의 경쟁력 강화
팹리스 시스템반도체 우위 확보 등 목표 제시

 

인더뉴스 김용운 기자ㅣ삼성이 앞으로 5년 동안 450조원을 투자해 반도체·바이오·신성장 IT정보통신 분야의 경쟁력을 확고히 한다고 24일 밝혔습니다.

 

삼성은 이날 '역동적 혁신성장을 위한 삼성의 미래 준비'라는 제목으로 향후 대규모 투자계획을 발표했습니다.

 

투자 1순위는 반도체입니다. 삼성은 메모리 분야의 초격차를 더욱 벌이기 위해 신소재·신구조에 대한 연구개발(R&D)을 강화하고, 첨단 극자외선(EUV) 기술을 조기에 도입하는 등 첨단기술의 선제적 적용에 예산을 투입할 계획입니다.

 

특히 기존의 메모리 분야 외에 펩리스(설계)시스템반도체 경쟁력 확보에도 속도를 낼 방침입니다. 팹리스시스템반도체는 고성능·저전력 AP(애플리케이션 프로세서), 5G·6G 등 초고속 통신 등에 수요가 폭증하고 있습니다. 시장조사업체 옴디아에 따르면 팹리스 시스템반도체의 2025년 시장 규모는 4773억 달러로 메모리 반도체(2205억달러) 시장 규모의 2배 이상 성장할 전망입니다.

 

파운드리(위탁생산) 사업에서는 차세대 생산 기술을 적용해 3나노 이하 제품을 조기 양산한다는 방침입니다. 이 과정에서 차세대 패키지 기술 확보로 연산칩과 메모리가 함께 탑재된 융복합 솔루션을 개발해 업계 선두권 도약의 발판을 마련하기로 했습니다.

 

반도체에 이어 바이오 분야에서도 공격적인 투자를 감행, 바이오시밀러 파이프라인을 확대하는 등 새로운 성장 동력 발굴에 나섭니다. 중장기적으로는 바이오의약품위탁개발생산(CDMO)과 시밀러를 축으로 하는 사업구조를 구축해 바이오를 '제2의 반도체 신화'로 육성하겠다는 전략입니다.

 

이를 위해 현재 삼성바이오로직스가 인천 송도에 건설중인 4공장에 이어 5,6 공장 건설을 추진하고 궁극적으로는 글로벌 제약사로 도약 기반을 다진다는 복안입니다.

 

이 외에 AI, 차세대 통신 등 신성장 IT 분야에서는 '초격차 혁신'을 통한 경쟁력 강화에 집중할 계획입니다.

 

삼성은 각 분야 투자와 함께 반도체와 바이오 등 핵심사업 중심으로 채용 규모를 더욱 확대해 민간에 의한 좋은 일자리 창출에 기여한다는 방침을 다시 한 번 강조했습니다.

 

이를 위해 향후 5년간 신규로 8만명을 채용하고 신입사원 공체제도를 유지할 방침입니다. 또한 ▲삼성청년S/W아카데미(SSAFY) ▲드림클래스 등 취업경쟁력 제고 및 인재 육성을 위한 프로그램을 지속 운영할 예정입니다.

 

삼성은 "지난 5년간 투자한 330조원 대비 120조원이 늘어난 것으로, 삼성은 불확실성 속에서도 미래 신산업 혁신을 선도하기 위해 연평균 투자규모를 30% 이상 확대했다"며 "미래 먹거리와 신성장IT’ 집중 투자는 향후 5년간 삼성이 한국 경제 재도약에 기여할 수 있는 역할을 제시하면서, 동시에 사회 전반에 역동성을 불어넣음으로써 국민적 기대에 부응하겠다는 의지의 표명으로 봐달라"고 강조했습니다.

 

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김용운 기자 lucky@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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