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제2의 루나·테라 사태 막으려면…“규제 공백 메울 입법 필요하다”

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Tuesday, May 24, 2022, 17:05:40

자본시장연구원 정책세미나
"발행인·공시·상장기준·거래소 규정 법제화 필요"
"루나 사태가 전체 디지털자산 대변하지 않아"

 

인더뉴스 정석규 기자ㅣ최근 루나·테라 사태로 수많은 피해자가 발생하면서 디지털자산시장 기본법 마련을 요구하는 목소리도 날로 높아지는 추세입니다. 이 가운데 투자자 보호와 글로벌 가상자산시장 대응 차원에서 최소한의 규제 장치를 마련해야 한다는 주장이 제기됐습니다.

자본시장연구원은 24일 여의도 금융투자센터 3층 불스홀에서 '디지털자산시장의 현황과 주요 이슈'에 관한 정책 세미나를 개최했습니다.
 

이날 세미나는 국내 가상자산 시장(ICO 시장)과 증권 시장(STO 시장)이 직면한 과제를 분석하고 발전시킬 수 있는 방안을 함께 고민하고 중앙은행발행 디지털화폐(CBDC), 디파이(Defi), 대체불가능한토큰(NFT) 등에 대한 정책 방향을 설정하고자 마련됐습니다.

신진영 자본시장연구원장은 이날 세미나 개회사를 통해 "최근 루나·테라 사태로 국내 디지털자산 시장의 신뢰성 확보에 대한 사회적 요구가 날로 높아지고 있다"며 "국내 디지털자산시장의 혁신을 촉진하고 시장참여자를 보호해야 한다는 두 마리 토끼를 잡기 위해 다양한 정책적 아이디어와 제언을 공유할 필요가 있다"고 말했습니다.

첫 번째 발표자인 박선영 동국대학교 경제학과 교수는 "루나·테라 사태가 디지털자산 전체의 발전 양상을 대변하지는 않는다"며 "균형 잡힌 관점에서 국가경쟁력 차원에서 디지털자산시장에 대한 정책 방향을 논의할 필요가 있다"고 강조했습니다.

박 교수는 이어 "국내 가상자산시장은 전세계에서 유일하게 Cefi 및 개인투자자 위주의 시장"이라며 "업비트·빗썸·코인원-코빗·고팍스 등이 4강 구도를 형성하고 그 안에서 시장 점유율 경쟁을 펼치고 있는데, 앞으로는 거래지원에 대한 책임을 업계 전반적으로 함께 고민할 필요가 있다"고 밝혔습니다.

박 교수는 "증권형 토큰(STO)·자산유동화·송금·신탁·주주명부관리 등 블록체인 기술을 전통 금융시장에 적용시킬 수 있는 방안과 블록체인 생태계에 글로벌 경쟁력을 갖춘 국내 프로젝트 육성방안 등을 마련할 수 있도록 관련 논의가 이뤄져야 한다”고 주장했습니다.

두 번째 발표를 맡은 김갑래 자본시장연구소 연구위원은 '국내 ICO 시장과 STO 시장의 당면 과제와 발전 방향' 발표에서 “제2, 제3의 루나·테라 사태가 발생하지 않기 위해서는 향후 국회에서 제정될 디지털자산기본법이 가상자산 국문 공시, 불공정행위 규제강화 등에 초점을 맞춰야 한다"고 말했습니다.

김 연구위원은 ICO 시장과 STO 시장이 각각 당면한 과제도 함께 소개했다. 먼저 ICO 시장에 대해서는 "공시 주체로서의 발행인 정의, 중요투자정보를 담은 국문 백서 발간 의무화, ICO 관련 불공정거래의 유형화 및 강력한 제재 조치, 가상자산거래업자의 이해상충 구조 최소화 등이 필요하다"고 강조했습니다.

김 연구위원은 STO 시장에 대해 "금융규제 샌드박스 운영 및 운영 경험을 토대로 제도적 개선 모색, 증권토큰 예탁기관의 고객자산 보호의무 및 면책규정을 명확히 규정, 토큰화된 저가 증권의 투기성 규제 방안 마련 등 기존 제도를 재정비해야 한다"고 조언했습니다.

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정석규 기자 itnno1@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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