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LG화학, 5만톤 규모 수소공장 건설…탄소 저감 박차

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Monday, June 20, 2022, 11:06:01

24년 2분기 완공 계획..14만톤 규모 탄소 저감 효과 기대

 

인더뉴스 홍승표 기자ㅣLG화학[051910]이 석유화학 열분해 공정을 저탄소 공정으로 전환하기 위해 수소 생산에 들어갑니다. 이를 통해 ‘2050 넷제로(Net-Zero)’를 달성에 박차를 가한다는 방침입니다.

 

20일 LG화학에 따르면, 오는 2024년 2분기까지 충남 대산 사업장에 연산 5만톤 규모의 수소 공장을 건설합니다. LG화학이 수소를 직접 생산하는 공장을 건설하는 것은 이번이 처음입니다.

 

공장에는 메탄가스를 고온의 수증기와 반응시켜 수소로 전환하는 기술이 적용되며 NCC(나프타크래킹센터) 공정상 확보 가능한 부생 메탄을 원료로 활용하는 것이 가장 큰 특징입니다. 생산된 수소는 다시 NCC 열분해로 연료로 사용됩니다.

 

석유화학 사업은 나프타를 고온 분해시켜 얻는 에틸렌, 프로필렌, 부타디엔 등 기초 유분으로 시작됩니다. 특히, NCC 공정의 열원으로 메탄이 사용되면서 대부분의 탄소 배출이 이뤄지는 경우가 적잖은 것으로 알려져 있습니다.

 

그러나 고순도 수소는 연소될 시 별도의 이산화탄소 배출이 없기 때문에 석유화학 연료로 사용될 경우 기존 대비 탄소배출 저감 효과를 볼 수 있는 것이 장점입니다.

 

수소 공장은 내년 상반기 착공에 들어갑니다. 공장이 본격 가동되면 NCC 공정에 사용되는 메탄을 수소로 대체해 연간 약 14만톤 수준의 탄소배출 저감 효과를 거둘 것으로 전망하고 있습니다. 해당 저감 효과는 소나무 약 100만 그루를 심어야 상쇄할 수 있는 규모다.

 

LG화학은 오는 2025년까지 NCC 공정의 수소 등 청정연료 사용 비중을 최대 70%까지 확대해 나갈 계획입니다. 바이오 원료 생산에도 수소를 적극 활용하는 부분과 함께 수소 공장의 생산성 검증 및 탄소배출 저감 효과 등을 고려해 향후 추가적인 증설도 검토할 예정입니다.

 

최근 LG화학은 수소 생산 과정에서 발생하는 이산화탄소의 재사용 순환 밸류체인 구축을 위해 국내 최대 탄산가스 업체인 태경케미컬과 손을 잡았습니다. 양 사는 향후 장기적으로 이산화탄소의 원활한 공급 및 다양한 활용 방안 등에 대해 적극 협력해 나가기로 약속했습니다.

 

노국래 LG화학 석유화학사업본부장은 "수소 공장 건설과 이산화탄소 순환 체계 구축은 탄소 중립을 통해 석유화학 사업의 지속가능한 미래를 만들어 가기 위한 것"이라며 "향후 수소 생산, 활용 기술 등 탄소배출 저감을 위한 다양한 방법들을 검토하고 적용해 나갈 것"이라고 말했습니다.

 

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홍승표 기자 softman@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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