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열대야 찾아온 6월, 전력수요 역대 동월 최고

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Monday, July 04, 2022, 08:07:30

6월 최대전력 7만MW 첫 돌파
전력수급 경보 9년만에 발령 가능성 커져

 

인더뉴스 김용운 기자ㅣ기상 관측 사상 첫 6월 열대야가 나타난 지난달, 전력수요가 동월 기준 역대 최고치를 기록하면서 올 여름 전력 수급에 비상등이 켜졌습니다. 

 

4일 전력거래소에 따르면, 지난달 월평균 최대전력은 작년 동월보다 4.3% 증가한 7만1805MW(메가와트)로 관련 통계를 집계하기 시작한 2005년 이래 6월 기준으로 역대 최고치를 기록했습니다. 6월에 7만MW 선을 넘은 것도 처음입니다. 

 

최대전력은 하루 중 전력사용량이 가장 많은 순간의 전력수요입니다, 월평균 최대전력은 한 달 동안 일별 최대전력 합계의 평균값입니다. 

 

지난달 26일에는 서울에서 사상 처음으로 '6월의 열대야'가 나타나는 등 기온이 예년의 평균 기온을 웃돌았습니다. 열대야는 오후 6시 1분부터 이튿날 오전 9시까지 최저기온이 25도 이상일 때를 의미합니다. 열대야 외에도 고온다습한 공기 유입으로 6월부터 불볕 더위가 나타나면서 냉방 가동 등으로 전력 공급예비율의 마지노선인 10% 선이 깨지기도 했습니다. 

 

특히 지난달 23일 전력 공급예비율은 9.5%까지 떨어져 연중 최저치를 기록했습니다. 공급예비율은 당일 전력 공급능력에서 최대전력을 뺀 공급예비력을 다시 최대전력으로 나눈 비율입니다. 공급예비율이 낮아질수록 전력수급에 어려움을 겪을 수 있습니다. 

 

산업통상자원부는 올여름 전력 최대 수요 시기를 8월 둘째 주로 예상하고 있습니다. 특히 올여름은 평년보다 더 더워 최대 전력 수요가 91.7~95.7GW(기가와트)에 달하면서 지난해(91.1GW·7월 27일 기준)보다 높을 것으로 전망하고 있습니다. 또 예비력은 5.2~9.2GW 수준으로 최근 5년간 가장 낮고 예비율도 5.4~10.0%에 그칠 것인란 전망입니다.

 

예비력 전망치 최저 수준인 5.2GW는 전력수급 비상 경보 발령 범위에 해당합니다. 예비력이 5.5GW 밑으로 내려가면 전력수급 비상 경보를 발령합니다. 예비력에 따라 1단계는 '준비'(5.5GW 미만), 2단계는 '관심'(4.5GW 미만), 3단계는 '주의'(3.5GW 미만), 4단계는 '경계'(2.5GW 미만), 5단계는 '심각'(1.5GW 미만) 등으로 구분합니다. 2013년 8월 이후 전력수급 비상 경보 발령은 아직 없었지만 올해 8월에는 전력수급 비상 경보 발령 가능성이 커진 상황입니다. 

 

정부는 이날부터 오는 9월 8일까지를 '여름철 전력 수급 대책 기간'으로 정하고 전력거래소·한국전력·발전사 등과 '전력수급 종합상황실'을 운영합니다. 

 

산업통상자원부는 "전력수요가 급증해도 안정적 공급이 가능하도록 9.2GW 수준의 추가 예비 자원을 확보했지만, 가정과 사업장 등의 에너지 절약 노력도 절실하다"며 "산업계도 전력 수요가 정점에 달할 8월 둘째 주 전후로 직원들의 휴가를 분산시켜 주길 당부한다"고 밝혔습니다. 

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김용운 기자 lucky@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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