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옐런 美 재무부 장관, LG화학 ‘마곡R&D캠퍼스’ 찾은 까닭은?

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Tuesday, July 19, 2022, 14:07:13

옐런 장관, 한국 기업 중 유일하게 LG화학 방문
LG화학 차세대 전지 소재 살펴보고 양국 기업간 협력 논의

 

인더뉴스 김용운 기자ㅣLG화학은 신학철 부회장이 재닛 옐런(Janet Yellen) 미국 재무부 장관과 만나 전지 소재 공급망 강화를 위한 협력 방안을 논의했다고 19일 밝혔습니다. 

 

LG화학에 따르면 이날 앨런 장관은 방한 첫 일정으로 서울 강서구 LG화학 마곡 R&D 캠퍼스를 방문했습니다.  LG사이언스파크 마곡 R&D캠퍼스에는 LG화학의 차세대 양극재와 분리막 등 미래 전지 소재 연구 시설이 모여 있는 곳입니다.  인도·태평양 지역을 순방 중인 옐런 장관은 한국 기업 중 유일하게 LG화학을 찾았습니다. 

 

한 시간이 넘게 진행된 이번 방문에서 신학철 LG화학 부회장은 옐런 장관과 함께 LG화학의 전지 소재 기술과 지속가능 전략이 담긴 전시장을 둘러보고, 소재 공급망 구축에 대한 협력 방안을 논의했습니다.

 

옐런 장관은 이 자리에서 "LG화학이 배터리 소재 분야에서 어떻게 혁신을 이루고 있는지 직접 확인할 수 있는 소중한 기회"였다며 "여러분과 같은 한미 양국 기업들이 노력해준 덕분에 양국이 굳건한 경제 동맹으로 성장했다"고 말했습니다. 

 

LG화학은 전기차 시장 성장과 함께 수요가 급격히 증가하고 있는 전지 소재 분야를 적극 육성하고 있습니다. 이를 위해 양극재부터 분리막, CNT(탄소나노튜브), 방열접착제, 음극바인더, BAS(Battery Assembly Solution) 등 사업 포트폴리오를 강화하고 있으며, ‘세계 최고 종합 전지 소재 회사’를 목표로 2025년까지 6조원의 과감한 투자 계획도 진행 중에 있습니다. 

 

특히 세계 최대 자동차 시장 중 하나인 북미 지역에서 배터리 공급망을 현지화하기 위한 투자액(자회사 LG에너지솔루션 포함)은 2020년부터 2025년까지 110억 달러 규모를 상회할 것이란 예상입니다. 또한 양극재 공장 신설도 적극 검토하고 있습니다. 이번 옐런 장관과 논의를 통해 공급망 협력에 속도가 붙으면 LG화학의 북미 배터리 소재 관련 투자도 한 층 빨라질 전망입니다. 

 

현재 LG화학의 배터리 제조 자회사인 LG에너지솔루션만 해도 합작사 형태로 미국 오하이오, 테네시, 미시건과 캐나다 온타리오주 등에 생산시설을 확충하고 있습니다. 

 

신학철 부회장은 "세계 최대 자동차 시장 중의 하나인 미국은 LG화학의 전기차용 배터리 연구개발이 본격화된 곳으로 미국 내 주요 자동차 제조 기업들과는 오랜 시간 긴밀한 협력 관계를 이어 왔다"며 "전지 소재 분야에서도 미국 주요 기업들과 협력 관계를 강화하고, 세계 최고 종합 전지 소재 회사로 도약하기 위해 새로운 혁신을 선보이겠다"고 말했습니다. 

 

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김용운 기자 lucky@inthenews.co.kr


SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

2024.04.19 10:02:01

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]가 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 대만 TSMC와 협력하기로 했다고 19일 밝혔습니다. 양사는 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM) 개발을 위해 최근 대만 타이페이에서 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했습니다. SK하이닉스는 "AI 메모리 글로벌 리더인 당사는 파운드리 1위 기업 TSMC와 힘을 합쳐 또 한번의 HBM 기술 혁신을 이끌어 내겠다"며 "고객-파운드리-메모리로 이어지는 3자간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것"이라고 강조했습니다. 양사는 우선 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이(Base Die)의 성능 개선에 나섭니다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV 기술로 수직 연결해 만들어집니다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행합니다. SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나 HBM4부터는 로직(Logic) 선단 공정을 활용할 계획입니다. 다이를 생산하는 데 초미세 공정을 적용하면 다양한 기능을 추가할 수 있기 때문입니다. 이를 통해 성능과 전력 효율 등 고객들의 요구에 부합하는 맞춤형 HBM을 생산한다는 것이 SK하이닉스의 설명입니다. 이와 함께, 양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 'CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)' 기술 결합을 최적화하기 위해 협력하고, HBM 관련 고객사 요청에 공동 대응하기로 했습니다. 'CoWoS'는 TSMC가 특허권을 갖고 있는 고유의 공정으로 특수 기판 인터포저(Interposer) 위에 로직 칩인 GPU/xPU와 HBM을 올려 연결하는 패키징 방식입니다. 김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra담당)은 "TSMC와의 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것은 물론, 글로벌 고객들과의 개방형 협업에도 속도를 낼 것"이라며 "앞으로 당사는 고객맞춤형 메모리 플랫폼 경쟁력을 높여 '토털 AI 메모리 프로바이더'의 위상을 확고히 하겠다"고 말했습니다.


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