인더뉴스 김용운 기자ㅣ"4차 산업혁명 시대를 주도하는 통합 솔루션 팹리스가 되겠다."
삼성전자는 지난 5일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 '삼성 테크 데이 2022(Samsung Tech Day 2022)'를 개최하고 차세대 반도체 솔루션과 로드맵을 공개했다고 6일 밝혔습니다.
2017년 시작된 ‘삼성 테크 데이’는 삼성전자의 차세대 반도체 기술을 선보이는 자리로, 이번 행사는 2019년 이후 3년 만에 오프라인으로 열렸습니다.
삼성전자는 이날 행사에서 시스템 반도체 제품 간 시너지 극대화를 통해 '통합 솔루션 팹리스'로 거듭나겠다고 공언했습니다.
삼성전자는 이를 위해 '5세대 10나노급(1b) D램’, '8세대·9세대 V낸드'를 포함한 차세대 제품 로드맵을 공개하고 차별화된 솔루션과 시장 창출을 통해 메모리 기술 리더십을 유지해 나가겠다고 밝혔습니다
삼성전자 메모리사업부장 이정배 사장은 "삼성전자가 약 40년간 만들어낸 메모리의 총 저장용량이 1조 기가바이트(GB)를 넘어서고, 이중 절반이 최근 3년간 만들어졌을 만큼 우리는 급변하는 디지털 전환(Digital Transformation)을 체감하고 있다"라며 "향후 고대역폭, 고용량, 고효율 메모리를 통해 다양한 새로운 플랫폼과 상호진화(Co-evolution)하며 발전해 나갈 것"이라고 말했습니다.
삼성전자는 데이터 인텔리전스(Data Intelligence)를 발전시킬 미래 D램 솔루션과 공정 미세화의 한계를 극복하기 위한 다양한 D램 기술도 공개했습니다. 아울러 데이터센터용 고용량 32Gb DDR5 D램, 모바일용 저전력 8.5Gbps LPDDR5X D램, 그래픽용 초고속 36Gbps GDDR7 D램 등 차세대 제품을 적기에 출시해 프리미엄 D램 시장의 리더십을 확고히 한다는 방침입니다.
이 과정에서 삼성전자는 2023년 '5세대 10나노급 D램'을 양산하는 한편, 하이케이 메탈 게이트(High-K Metal Gate) 공정 등 새로운 공정 기술 적용과 차세대 제품 구조를 통해 공정 미세화 한계를 극복한다는 복안입니다.
또한 낸드 분야에서 삼성전자는 2024년에는 9세대 V낸드를 양산하고, 2030년까지 1000단 V낸드를 개발하는 등 혁신적인 낸드 기술로 새로운 패러다임을 제시하겠다고 밝혔습니다. 이에 앞서 올해에는 세계 최고 용량의 8세대 V낸드 기반 1Tb TLC(Triple Level Cell) 제품을 양산할 계획입니다.
최근 공급 부족을 겪고 있는 차량용 메모리 시장에서도 자율 주행(AD), 첨단 운전자 지원 시스템(ADAS), 인포테인먼트(IVI), 텔레매틱스(Telematics) 등을 위한 최적의 메모리 솔루션을 공급해 2025년 차량용 메모리 시장에서 1위를 달성하겠다고 밝혔습니다.
궁극적으로 삼성전자는 시스템 반도체 제품 간 시너지 극대화를 통해 '통합 솔루션 팹리스'로 나아가겠다는 목표점을 분명히 했습니다.
시스템LSI사업부장 박용인 사장은 "사물이 사람과 같이 학습과 판단을 해야 하는 4차 산업혁명 시대에서 인간의 두뇌, 심장, 신경망, 시각 등의 역할을 하는 시스템 반도체의 중요성은 그 어느 때보다 커질 것"이라며 "삼성전자는 SoC, 이미지센서, DDI, 모뎀 등 다양한 제품의 주요 기술을 유기적으로 융합해 4차 산업혁명 시대를 주도하는 ‘통합 솔루션 팹리스’가 될 것"이라고 강조했습니다.
이를 위해 삼성전자는 초지능화(Hyper-Intelligence), 초연결성(Hyper-Connectivity), 초데이터(Hyper-Data)가 요구되는 4차산업혁명의 흐름에 맞게 인간의 기능에 근접하는 성능을 제공하는 최첨단 시스템 반도체를 개발할 방침입니다.
