인더뉴스 권용희 기자ㅣSK하이닉스[000660]가 고대역 메모리(HBM)시장을 선두할 수 있는 신기술을 발표했습니다.
SK하이닉스는 D램 단품 칩 12개를 쌓는 방식으로 24GB(기가바이트)의 용량을 구현한 고대역 메모리 'HBM3' 신제품을 세계 최초로 개발했다고 20일 밝혔습니다.
'HBM'은 미국 칩 제조 업체 AMD와 SK 하이닉스가 2013년에 개발한 메모리 반도체 제품입니다. 저전압과 고대역폭의 성능으로 고성능 컴퓨팅에 특화되어있어 'AI 서버'와 '생성형 AI'의 핵심 부품으로 꼽힙니다.
SK하이닉스는 지난해 6월부터 HBM3 양산에 성공했습니다. 기존 모델은 D램 단품 8개를 쌓는 방식으로 16GB의 용량을 제공해왔습니다. 이번 신제품은 기존 대비 50%의 용량이 늘어났습니다.
SK 하이닉스는 이번 HBM3에 'MR-MUF'와 'TSV'기술을 적용했습니다. MR-MUF 기술은 칩을 쌓아 올리는 과정에서 회로를 보호하기 위해 보호재를 공간 사이에 주입하는 공정으로 제품 효율성과 성능 안정성과 연결됩니다. TSV 기술은 일종의 패키징 기술로, D램 칩을 얇게 만듭니다. 이를 통해 SK하이닉스는 16GB 제품과 동일한 높이로 신제품을 구현 할 수 있었습니다.
SK 하이닉스는 "고객사에 샘플을 제공해 성능 검증을 받고 있다"며 "최근 AI 챗봇 산업이 확대되면서 늘어나고 있는 프리미엄 메모리 수요에 맞춰 하반기부터 시장에 신제품을 공급할 수 있을 것"이라고 강조했습니다.
업계에서는 HBM3 신제품 출시로 SK 하이닉스가 HBM 시장의 입지를 더욱 공고히 할 것으로 전망하고 있습니다. 실제로 대만의 시장조사업체 트렌드 포스는 올해 SK 하이닉스의 시장 점유율이 53%까지 높아질 것이라는 예상했습니다. HBM의 시장 점유율은 SK 하이닉스를 이어 삼성전자가 38%, 미국의 반도체 기업 마이크론이 9%를 차지하고 있습니다. 삼성전자와 마이크론은 2024년 초에나 HBM3 양산에 들어갈 전망입니다.
홍상후 SK 하이닉스 부사장은 "세계 최고의 후공정 기술력을 바탕으로 초고속, 고용량 HBM 제품을 연이어 개발해낼 수 있었다"면서 "상반기 내 이번 신제품 양산 준비를 완료해 AI 시대 최첨단 D램 시장의 주도권을 확고히 해나가겠다"고 말했습니다.
