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한은, 기준금리 1.50%로 동결...완화적 통화 기조 유지

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Friday, August 30, 2019, 16:08:00

7월 인하 후 동결..“세계경제 둔화·국내경제 불확실성 증대”

 

인더뉴스 박민지 기자ㅣ한국은행이 기준금리를 연 1.50%로 동결했다. 국내 경제가 미·중 무역분쟁 심화 등 성장 전망경로의 불확실성이 커진 것으로 판단해 완화적 통화정책 기조를 유지해나가겠다는 입장을 밝혔다.

 

한국은행은 30일 이주열 총재 주재로 열린 금융통화위원회 회의에서 기준금리를 연 1.5%로 동결했다. 지난달 1.75%에서 1.50%로 0.25%포인트 인하된 뒤 2개월째 같은 수준을 유지했다.

 

금통위는 회의 후 발표한 통화정책방향 결정문에서 “세계경제는 교역이 위축되면서 성장세가 둔화됐다”며 “국제금융시장에서는 미·중 무역분쟁 및 이에 따른 글로벌 경기 둔화 우려 등으로 주요국 국채금리와 주가가 큰 폭 하락하는 등 가격변수의 변동성이 확대됐다”고 전했다.

 

국내 경제에선 여전히 수출·설비투자의 부진이 이어진데다 소비 증가세도 기대에 미치지 못한다는 분석이다. 한은은 국내 경제는 건설투자 조정과 수출 및 설비투자 부진이 지속된 가운데 소비 증가세가 약화되면서 성장세 둔화 흐름을 이어간 것으로 진단했다. 고용 상황은 취업자수 증가폭이 확대되는 등 일부 개선되는 모습을 보였다고 분석했다.

 

소비자물가에 대해서도 여전히 낮은 오름세를 보이고 있다는 분석이다. 다만 근원인플레이션율(식료품·에너지 제외 지수)에 대한 평가는 개선됐다.

 

한은은 “소비자물가는 석유류와 농축산물 가격 하락 등으로 오름세가 0% 중반으로 낮아졌다”며 “앞으로 소비자 물가 상승률은 7월 전망경로에 비해 하방위험이 높아져 당분간 0%대 초반에서 등락하다 내년 이후 1%대 초중반을 나타낼 것으로 예상한다”고 전했다.

 

일반인 기대인플레이션율은 2% 후반, 근원인플레이션율은 0%대 후반을 나타냈다. 근원인플레이션의 경우 지난 달 '중후반'으로 평가받은 데 비해 높아졌다.

 

금융시장에 대한 평가 역시 좋지 않았다. 한은은 “미·중 무역분쟁과 지정학적 리스크 등에 따른 국내외 경기 둔화 우려로 가격변수의 높은 변동성이 지속됐다”고 판단했다. 향후 통화정책 운용방향에 대해서는 거시경제와 금융안정 상황의 변화를 면밀히 점검하면서 완화정도의 조정 여부를 판단해 나갈 것이라고 밝혔다.

 

올해 남은 금융통화위원회는 10월 16일과 11월 29일 두차례로 한은은 향후 대내외 동향을 살피면서 추가 인하 시기를 결정할 것으로 시장은 내다봤다. 한은이 결정문에서 밝힌 대로 대내외 상황이 여전히 우호적이지 않은 만큼 금리를 인하할지 여부에 관심이 집중되고 있다.

 

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박민지 기자 freshmj@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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