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구형 싼타페·카니발·쏘렌토 ‘제동결함’...30만여 대 대규모 리콜

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Friday, May 22, 2020, 10:05:09

BMW 520d 등 24만여 대는 선제적 예방 조치로 EGR 점검
벤츠·지프·아우디 포함 총 54만여 대..일부 업체 과징금 부과

 

인더뉴스 박경보 기자ㅣ현대자동차의 2세대 싼타페(CM) 18만여 대가 제동장치 결함으로 대규모 리콜에 들어갑니다. 싼타페CM과 같은 시기 생산됐던 카니발·쏘렌토 11만여 대도 동일한 리콜을 받게 됐는데요. 또 BMW 24만여 대는 개선된 EGR(배기가스재순환장치) 쿨러에 문제가 있을 경우 교체를 받아야 합니다.

 

국토교통부는 현대·기아차, BMW, 메르세데스-벤츠, 지프, 아우디 등 총 126개 차종 54만 9931대의 결함을 시정조치(리콜)한다고 22일 밝혔습니다. 이 가운데 현대·기아차 모델은 30만 여 대에 달하고, BMW도 520d 등 79개 차종이 리콜 목록에 올랐습니다.

 

먼저, 현대·기아차의 싼타페CM(18만 1124대), 카니발VQ(7만 9001대), 쏘렌토BL(3만 4497대) 등 3개 차종 29만 4622대는 ABS/ESC 모듈에 오일 또는 수분 등이 유입돼 내부합선으로 인한 화재 발생 가능성이 있습니다.

 

이 차량들은 지난 2005년부터 2009년 사이에 생산된 노후차량들인데요. 5월 25일부터 공식 서비스센터에서 무상으로 수리(전원공급 제어 스위치 장착)를 받을 수 있습니다.

 

 

이와 더불어 그랜드카니발(VQ) 757대는 연료 공급 파이프 제조 불량에 따른 연료 누유로 화재 발생 가능성이 확인됐습니다. 또 제네시스 쿠페(BK) 55대는 운전석 에어백 모듈 고정 볼트 조임 부족에 따른 에어백 모듈 이탈 가능성이 있습니다.

 

BMW코리아의 520d 등 79개 차종 24만 1921대는 선제적 예방 차원에서 EGR 쿨러 점검 후 필요시 교체됩니다. 화재결함 사태 이후 개선된 EGR 쿨러 중 일부 쿨러에서 균열 사례가 확인됐기 때문인데요. 리콜 대상 차량이 많아 올해 10월까지 점검이 이어집니다.

 

 

메르세데스-벤츠코리아의 E280 등 36개 차종 1만 1480대는 선루프 유리 패널의 접착 불량으로 떨어질 가능성이 있습니다. AMG GT 63 4MATIC+ 등 2개 차종 3대는 실내 센터콘솔이 안전기준에 부적합한 것으로 확인돼 과징금도 부과됩니다.

 

FCA코리아가 판매한 지프 컴패스 557대는 전방 와이퍼 암 고정 너트 조임이 부족해 안전기준을 충족하지 못했습니다. 이 차량들은 지난해 5월부터 올해 2월까지 생산된 비교적 신형 모델인데요. 국토부는 우선 리콜을 진행한 뒤 과징금을 부과할 계획입니다.

 

아우디 A3 40 TFSI 306대는 타이어공기압경고장치가 안전기준에 부적합한 것으로 확인됐는데요. 메르세데스-벤츠, 지프 등 다른 수입차 업체와 마찬가지로 과징금을 떠안게 됐습니다.

 

 

끝으로 킴코 RACING S 150 이륜차종 180대는 USB 충전장치의 결함으로 2암페어 이상의 전류를 장시간 사용할 경우 USB 기판이 과열돼 불이 붙을 수 있습니다.

 

한편, 이번 리콜과 관련해 해당 제작사에서는 자동차 소유자에게 우편 및 휴대전화 문자로 시정방법 등을 알리게 됩니다. 결함시정 전에 자동차 소유자가 결함내용을 자비로 수리한 경우에는 제작사에 수리한 비용에 대한 보상을 신청할 수 있습니다.

 

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박경보 기자 kyung2332@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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