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SK바이오팜, 3분기 영업손실 630억원…“R&D 투자 확대”

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Thursday, November 12, 2020, 10:11:43

매출 직전 분기 대비 89.9% 오른 39억원

 

인더뉴스 남궁경 기자ㅣSK바이오팜이 연구개발(R&D) 비용 증가로 적자 폭이 확대됐습니다.

 

SK바이오팜은 12일 올해 3분기 연결기준 매출 39억원, 영업손실 630억원을 기록했다고 공시했습니다. 전 분기와 비교해 매출은 89.9% 올랐고 영업손실도 9%가량 늘었습니다.

 

SK바이오팜은 뇌전증 신약 ‘세노바메이트(제품명 엑스코프리)’ 성장세와 재즈 파마슈티컬스에 기술 수출한 수면장애 신약 ‘솔리암페톨 (제품명 수노시)’ 로열티 반영으로 매출은 전 분기 대비 89.9% 증가했다고 설명했습니다.

 

세노바메이트 아시아 임상 3상 착수금과 기타 신규 연구비 지출로 판매관리비가 전 분기 대비 13% 증가한 666억원을 기록하면서 영업손실 규모도 확대됐습니다.

 

SK바이오팜은 R&D에 지속적으로 투자하며 신약 개발에 집중하고 있는데요. 조현병 치료 신약 후보물질 SKL20540은 지난 10월 국내 임상 1상이 완료됐으며, 세노바메이트는 아시아 시장 진출을 위해 내년 초 일본, 중국, 한국에서 임상 3상이 진행될 예정입니다.

 

세노바메이트 3분기 월평균 처방건수는 2260건으로, 경쟁 약물들의 출시 초기(월평균 처방건수 1300여건) 대비 빠른 속도로 시장에 진입하고 있습니다. 세노바메이트 보험 등재율(9월 말 기준) 또한 약 80%에 도달했습니다.

 

재즈 파마슈티컬스 실적 발표에 따르면 솔리암페톨은 지난 2분기에 이어 3분기에도 100억 매출(910만달러, 약 102억원)을 기록했습니다. 솔리암페톨은 지난해 7월 미국에서 첫 출시됐으며, 유럽의 경우 지난 5월 독일에 이어 10월 덴마크에서 판매를 시작했습니다. 솔리암페톨은 18개월 안에 프랑스, 영국 등 유럽 주요국가에서 순차적으로 출시될 예정입니다.

 

SK바이오팜은 최근 일본, 중국, 한국에서 세노바메이트 임상 3상에 대한 IND 승인을 획득하며 아시아 시장 진출에 속도를 내고 있습니다. 지난달 13일에는 오노약품공업과 기술수출 계약을 통한 전략적 제휴를 체결하며 일본 내 개발 및 상업화를 구체화했는데요. SK바이오팜은 내년 초 일본인, 중국인, 한국인 500명을 대상으로 임상 3상을 본격화 할 예정입니다.

 

이달 초에는 글로벌 헬스케어 벤처캐피털 회사인 라이프사이 벤처 파트너스와 오픈 이노베이션을 추진하며 유망한 바이오벤처 투자에 나섰습니다. SK바이오팜은 향후 파트너십을 확대해 신약 후보 물질 및 기술 도입, 연구 협력 등 다양한 방안을 모색한다는 계획입니다.

 

SK바이오팜은 기존 중추신경계 질환 신약 외에 항암신약 개발도 적극 진행하고 있습니다. 교모세포종과 같은 뇌종양을 비롯해 비소세포폐암 등 다양한 암종으로 신약 파이프라인을 확대해 나갈 예정입니다.

 

English(中文·日本語) news is the result of applying Google Translate. <iN THE NEWS> is not responsible for the content of English(中文·日本語) news.

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남궁경 기자 nkk@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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