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알테오젠 子 알토스바이오로직스, 605억 투자유치 완료

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Friday, January 15, 2021, 11:01:59

 

인더뉴스 김서정 기자ㅣ알테오젠(대표 박순재)의 자회사인 알토스바이오로직스(대표 지희정)는 DS자산운용, SJ인베스트먼트 등 벤처펀드와 전략적 투자자인 한림제약, 개인 엔젤 투자자인 형인우 씨를 포함한 투자자로부터 총 605억원의 투자유치를 완료했다고 15일 밝혔다.

 

앞서 알토스바이오는 지난해 12월 15일에 글로벌 임상과 신속한 상업화를 위한 조치의 일환으로 알테오젠과 습성황반변성 치료 후보 물질인 아일리아 바이오시밀러(ALT-L9)를 대상으로 라이선스계약을 체결한 바 있다. 이에 알테오젠은 ALT-L9의 생산과 공급을 담당하며, 알토스바이오는 임상시험의 수행 및 시장개척, 판매에 대한 독점적 실시권을 획득했다.

 

알토스바이오는 알테오젠의 100% 자회사로 지난해 10월 설립했다. 글로벌 임상 3상을 위하여 각자 대표 체제를 구축하여 지희정 대표는 R&D 및 글로벌 임상 개발 총괄 역할을 맡고 박순재 대표는 경영총괄로 경영지원부문을 맡아 운영하고 있다.

 

지희정 알토스바이오로직스 대표는 미국의 퍼듀대학에서 생화학 박사 취득 후 약 25여 년간 바이오의약품 연구·개발을 해왔으며 LG화학 바이오텍연구소에서 산도스의 제품과 함께 세계 최초의 인성장호르몬인 ‘바이오시밀러’ 허가를 획득한 이 분야 전문가다.

 

지 대표는 백신 및 지속형, 서방형 인성장호르몬 등 바이오베터 개발의 프로젝트 리더뿐만 아니라 허가, 등록, 개발 등 다양한 분야를 경험했다. 이후 녹십자의 개발 본부장, 제넥신의 단백질 유전자생산기술연구소에서 연구소장 및 사장으로 근무한 바 있다.

 

‘ALT-L9’은 습성 황반변성 치료 후보 물질로 독일 바이엘과 리제네론이 공동 개발한 블록버스터 치료 신약인 아일리아(Eylea)의 바이오시밀러이다.

 

이 의약품 실적 관련 데이터인 아이큐비아에 의하면 아일리아는 최근 5년간 176.1% 성장하였으며 지난 2019년 매출은 65억 5100만 달러(한화 7조 8149억원)로 제제, 제형에 대한 특허 등으로 개발에 어려움이 있는 제품이다.

 

황반변성 질환은 노령인구의 증가와 함께 시장 규모도 증가 일로에 있다. 2025년 시장 규모는 100억 달러(한화 약 11조원)로 추산되며 2025년 2분기면 유럽 시장에서 물질특허가 만료된다.

 

알토스바이오 관계자는 “아일리아 바이오시밀러는 아일리아의 물질 특허가 만료되는 2025년 2분기까지 유럽 등록을 목표로 글로벌 퍼스트 무버로 자리 잡을 것으로 기대한다”며 “알테오젠이 보유한 인간 히알루로니다제를 이용하여 피하 주사형 블록버스터 바이오시밀러를 후속 제품으로 개발할 예정”이라고 강조했다.

 

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김서정 기자 rlatjwjd42@daum.net


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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