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[코스피 마감] "좀 쉬어가자" 기관 대량 매도 속 나흘만에 하락

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Friday, January 22, 2021, 16:01:25

 

인더뉴스 김서정 기자ㅣ코스피가 나흘 만에 하락했다. 최근 단기 상승 폭이 작지 않았던 만큼 높아진 밸류에이션 부담이 차익 실현 욕구를 자극한 것으로 풀이된다.

 

22일 코스피 지수는 전 거래일보다 20.21포인트(0.64%) 하락한 3140.63에 장을 마쳤다. 간밤 나스닥 지수의 강세 영향으로 장 초반 국내 인터넷주를 필두로 상승 폭을 확대, 한때 0.7% 넘게 오르기도 했지만 오후 들어 차익 매물이 쏟아지며 하락세로 돌아섰다.

 

서상영 키움증권 연구원은 “최근 글로벌 증시에 비해 가파른 상승세를 보인 국내 증시는 밸류에이션 부담이 가중됐다”라고 분석했다. 다만 “주요국 증시의 실적 전망 흐름을 살펴보면 특히 국내 기업들의 실적 개선 모멘텀의 탄력이 강한 모습이 확인됐다”며 “이러한 흐름이 지속된다면 최근 펀더멘털과 주가 사이의 간극을 점진적으로 좁혀나갈 수 있을 것”이라고 전망했다.

 

투자주체별로는 외국인과 기관이 각각 2701억원, 1조 3698억원 가량을 순매도했다. 반면 개인이 홀로 1조 6152억원 가량을 순매수했다.

 

업종별로는 비금속광물이 4.47%, 섬유·의복이 3.51%, 서비스업이 2.77% 상승했다. 그 외 음식료품, 종이·목재, 기계가 소폭 상승했다. 반면 운수장비가 2.84% 하락했고 철강·금속이 2.27%, 금융업이 2.22%, 보험이 2.02% 하락했다. 또한 증권, 전기가스업, 은행, 유통업, 전기·전자, 건설업, 제조업, 통신업, 의약품, 운수창고, 의료정밀, 화학이 일제히 파란불을 켰다.

 

시가총액 상위 10곳은 대체로 하락세였다. 네이버 6.51%, 삼성SDI 6.31%, 카카오의 1.98%의 상승을 제외하곤 대체로 하락했다. 삼성이 1.48%, SK하이닉스가 2.28% 하락했다. LG화학 또한 1.32% 하락했고 현대차가 2.84% 하락했다. 삼성바이오로직스는 0.25%, 셀트리온은 0.64% 하락했다. 삼성전자우는 보합으로 장을 마감했다.

 

개별종목 가운데는 두산퓨얼셀1우가 가격제한폭까지 치솟았고 두산퓨어켈2우B 역시 23.4% 급등했다. 태경케미컬도 20% 이상 올랐다. 덕양산업과 금호석유우, 롯데하이마트도 15% 넘게 급등했다.

 

이날 코스닥 지수 또한 전날 대비 1.42포인트(0.14%) 내린 979.98를 기록하며 장을 마감했다. 시총 상위주 간 희비가 엇갈린 가운데 무상증자를 결정한 셀리버리가 상한가를 기록했고 최근 고공행진하던 고영은 15% 넘게 추락했다.

 

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김서정 기자 rlatjwjd42@daum.net


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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