검색창 열기 인더뉴스 부·울·경

Stock 증권

에이치시티, 한국원자력硏과 초고집적 반도체 시험평가 사업 MOU

URL복사

Wednesday, January 27, 2021, 14:01:29

 

인더뉴스 김서정 기자ㅣ에이치시티(대표 이수찬)는 27일 한국원자력연구원(이하 KAERI, 원장 박원석)과 초고집적 반도체 물성평가 및 시험평가 사업 진출을 위한 MOU를 체결했다고 밝혔다.

 

이번 협약을 통해 당사는 국가적 사업인 반도체 및 고기능성 소자의 초미세 분석과 시험 평가 등에 대한 신규 사업에 진출할 계획이다.

 

한국원자력연구소는 양성자·중성자 가속기 등 초미세 분석 및 시험에 관한 핵심설비를 보유하고 있는 국내 대표 연구기관이다. 복합 양자빔 시설을 바탕으로 국내 유수의 기업과 연구기관, 대학 등에 신소재, 의료 및 초고집적 반도체 연구를 지원 중이다.

 

 

한국원자력연구원 박원석 원장은 “이번 협약을 통해 반도체 주요 수출국인 우리나라에서 국내 기술인 양자빔 시설을 활용한 초고집적 반도체 시험평가 기술을 확립하겠다”라고 밝혔다.

 

이어 “해외에 의존하던 반도체 시험평가 관련 기술이 자립할 수 있도록 적극 노력하겠다”고 강조했다.

 

이수찬 에이치시티 대표는 “한국원자력연구원과 양자빔 관련 공동연구를 통해 기존 5G 기반 통신시험 분야 리더십을 더욱 공고히 하겠다”라며 “4차 산업혁명을 선도할 초고집적 반도체 및 기능소자의 안정성과 신뢰성 평가 사업을 육성해 국내 산업 발전에 기여하겠다”라고 설명했다.

 

또한 "우수한 연구결과는 국내는 물론 글로벌 스탠더드로 적극 확산하여 국내 기업의 세계화에도 일조할 것”이라고 포부를 밝혔다.

 

한편 4차 산업혁명 시대 인간의 ‘뇌’에 해당하는 초고집적 반도체와 센서류가 고도화, 다기능화되면서 방사능, 중성자, 양성자 등으로 인한 오류 발생 가능성과 심각성 역시 커지고 있다.

 

이로 인해 양성자 가속시험의 중요성이 대두되고 있어 당사는 국내에서도 해당 시험을 진행할 수 있도록 서비스를 제공해 해외에서 시험을 진행하던 국내 기업들의 비용을 획기적으로 줄일 수 있을 것으로 기대한다고 회사 측은 설명했다.

 

English(中文·日本語) news is the result of applying Google Translate. <iN THE NEWS> is not responsible for the content of English(中文·日本語) news.

배너

김서정 기자 rlatjwjd42@daum.net


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


배너


배너