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"K팹리스 만들자"...정부, 시스템반도체 R&D에 2400억 투자

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Monday, February 01, 2021, 15:02:07

전력 반도체·차세대 센서 R&D 집중 지원
“향후 10년간 2조 5000억원 투입 예정”

 

인더뉴스 유은실 기자ㅣ정부가 시스템반도체 분야를 집중 육성하기 위해 올해 2400억원 규모의 연구개발(R&D)을 지원합니다. 전력 반도체, 차세대 센서, 인공지능 반도체 등에 자금을 대거 투입해 미래 시스템반도체 산업을 적극적으로 육성하겠다는 겁니다.

 

정부는 1일 서울청사에서 ‘제3차 혁신성장 빅3 추진 회의’를 열고 이런 내용을 담은 ‘시스템반도체 기술혁신 지원방안’을 발표했습니다. 발표안에 따르면 과학기술정보통신부(1150억원), 산업통상자원부(1100억원), 중소벤처기업부(150억원)의 예산을 연구개발에 투자합니다.

 

투자 주요 방향은 팹리스(반도체 설계회사) 성장 지원, 유망시장 선점, 신시장 도전입니다. 핵심 유망품목에 대한 기술 경쟁력 확보를 추진하며 글로벌 K팹리스 육성을 위해 전력반도체, 차세대 센서, 인공지능 반도체 등 시스템 반도체의 유망 분야를 집중 지원합니다.

 

우선 글로벌 팹리스 육성을 위해 1000억원 이상의 ‘챌린지형 R&D’를 신설합니다. 성장 가능성이 높은 팹리스를 대상으로 자유 공모를 통해 경쟁력 있는 전략제품 개발을 지원하며, 올해는 4개 기업을 선정할 방침입니다.

 

중소 팹리스 육성을 위해선 창업기업 지원, 혁신기술 개발, 상용화 기술개발, 투자형 기술개발 등 다양한 R&D 지원을 할 계획입니다.

 

각종 전기차·수소차와 전자기기 등 미래차의 핵심 부품인 차세대 전력 반도체를 담당하는 R&D 역시 강화됩니다. 데이터 수집을 담당하는 차세대 센서 R&D도 지원합니다.

 

차세대 전력 반도체인 실리콘카바이드(SiC), 질화갈륨(GaN) 반도체는 기존 실리콘(Si)보다 높은 내구성과 전력 효율을 지녀 성장 가능성이 높은 분야로 꼽힙니다. 정부는 이런 신소재 기반 전력 반도체 상용화를 위해 R&D 신설을 검토 중입니다.

 

또 주력산업의 데이터 수요 증가에 대응하기 위해 차세대 센서 R&D 지원과 센서 플랫폼 구축, 실증 테스트베드 설립 등 모두 5000억원 규모의 예비타당성 사업이 추진됩니다.

 

신시장을 지원하기 위한 예산도 400억원 가까이 늘어납니다. 인공지능 반도체 R&D 핵심사업인 차세대 지능형 반도체 기술 개발 사업이 성과를 낼 수 있도록 지원 규모를 작년 831억원에서 올해 1223억원으로 확대할 예정입니다.

 

성윤모 산업통상자원부 장관은 “올해 차세대 센서, 신개념 인공지능 반도체(PIM) 등 대규모 R&D 3대 프로젝트를 마련할 계획”이라며 “향후 10년간 2조 5000억원이 투입되는 이 프로젝트가 우리 반도체 생태계 전반에 활력을 불어넣을 것"이라고 말했습니다.

 

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유은실 기자 yes24@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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