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美 ITC “SK이노 특허 소송 문제없어”...LG 제재요청 기각

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Friday, April 02, 2021, 10:04:44

SK이노 “근거없는 ‘문서삭제’ 프레임 주장 안통해”
LG엔솔 “증거인멸 행위 보존의무 시점 이전에 이뤄졌다 판단..증거 통해 절차 이어갈 것”

 

인더뉴스 안정호 기자ㅣ미국 국제무역위원회(ITC)가 지난 2019년 SK이노베이션이 LG에너지솔루션을 상대로 제기한 특허 소송 취소해달라는 LG측의 요구를 기각했습니다.

 

전날 ITC는 LG에너지솔루션이 제기한 배터리 분리막 등 특허침해와 관련해 SK이노베이션이 관련 특허를 침해하지 않았다고 예비 결정(Initial Determination)을 내린데 이어 SK측이 제기한 특허 소송도 예정대로 ITC의 조사를 받게 되는 것입니다.

 

ITC는 2일 SK이노베이션이 LG에너지솔루션을 상대로 제기한 특허 소송을 제재해달라는 LG측의 요청을 기각했습니다. 직전 지난달 31일 나온 ITC의 예비 결정은 LG측이 SK측을 상대로 제기한 소송입니다.

 

ITC의 이번 결정은 LG에너지솔루션과 SK이노베이션은 지난 2019년 4월, LG에너지솔루션에 영업비밀 침해 소송을 당한 SK이노베이션이 방어 차원에서 같은 해 9월 LG를 상대로 특허 침해 소송을 제기한 것에 해당됩니다.

 

LG측은 지난해 8월 SK이노베이션이 앞서 영업비밀 침해 소송에서 보듯 본류 소송인 영업비밀 침해와 관련한 ‘문서 삭제’를 한 만큼 SK측이 LG에너지솔루션을 상대로 제기한 특허 소송 취하해 달라고 요청했습니다.

 

ITC는 이날 LG측의 요청사항은 일방적인 주장에 불과하며 특허 건과 관련해선 SK이노베이션측의 문서가 잘 보전돼 있다는 등의 이유로 LG측의 요청을 기각했습니다.

 

SK이노베이션이 제기한 소송 항목은 배터리 셀, 모듈, 관련 부품, 제조 공정 등으로 SK측은 LG측이 GM과 아우디, 재규어 전기차에 납품한 배터리에 대해 특허를 침해한 것으로 특정하고 금지명령과 구제조치, 손해배상 등을 요구했습니다.

 

이에 대해 ITC는 오는 7월 SK이노베이션측이 제기한 특허 소송에 대한 예비 판결을 내릴 예정이다. 만약 LG측 특허 침해가 인정될 경우 미국 내 LG 배터리 제품의 수입금지 조치가 내려질 가능성도 배제할 수 없습니다.

 

이날 SK이노베이션은 “LG가 정정당당한 소송보다도 합리적 근거없이 ‘문서삭제’ 프레임을 주장하는 LG의 소송전략에 제동이 걸리게 됐다”며 “SK이노베이션은 정정당당하게 소송에 임해 본안 소송에서 SK이노베이션 배터리의 우월한 기술력과 차별성을 입증할 것”이라고 했습니다.

 

LG에너지솔루션은 “SK이노베이션의 고의적 증거인멸에 대한 제재를 요청한 것에 대해 방대한 증거인멸 행위 대다수가 증거보존의무 발생 시점 이전에 이뤄졌다고 판단해 제재까지는 불필요하다고 ITC가 결론을 내렸다”며 “포렌식 등으로 확보한 증거를 토대로 남은 소송절차를 통해 ▲SK이노베이션의 발명자 부적격으로 인한 994 특허무효 ▲훔친 영업비밀과 기술로 인해 ‘부정한 손(Unclean Hands)’에 해당돼 SK이노베이션이 ITC에 특허침해를 주장하는 것 자체가 성립되지 않는다는 점을 적극 주장할 예정”이라고 밝혔습니다.

 

이어 “사건을 조기에 종결할 수 있는 제재를 요청한 것이 기각된 것으로 해당 이슈가 근거없다는 것은 전혀 아니며 추후 예비결정 및 최종결정 등 소송과정에서 충분히 입증해 나갈 예정”이라며 “지금 시점에서 본 특허소송에 대해 특정 업체의 유불리를 논하기는 어려우며 본 소송은 남은 소송절차를 통해 진실을 규명할 계획”이라고 말했습니다.

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안정호 기자 vividocu@inthenews.co.kr


SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

2024.04.19 10:02:01

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]가 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 대만 TSMC와 협력하기로 했다고 19일 밝혔습니다. 양사는 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM) 개발을 위해 최근 대만 타이페이에서 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했습니다. SK하이닉스는 "AI 메모리 글로벌 리더인 당사는 파운드리 1위 기업 TSMC와 힘을 합쳐 또 한번의 HBM 기술 혁신을 이끌어 내겠다"며 "고객-파운드리-메모리로 이어지는 3자간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것"이라고 강조했습니다. 양사는 우선 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이(Base Die)의 성능 개선에 나섭니다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV 기술로 수직 연결해 만들어집니다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행합니다. SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나 HBM4부터는 로직(Logic) 선단 공정을 활용할 계획입니다. 다이를 생산하는 데 초미세 공정을 적용하면 다양한 기능을 추가할 수 있기 때문입니다. 이를 통해 성능과 전력 효율 등 고객들의 요구에 부합하는 맞춤형 HBM을 생산한다는 것이 SK하이닉스의 설명입니다. 이와 함께, 양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 'CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)' 기술 결합을 최적화하기 위해 협력하고, HBM 관련 고객사 요청에 공동 대응하기로 했습니다. 'CoWoS'는 TSMC가 특허권을 갖고 있는 고유의 공정으로 특수 기판 인터포저(Interposer) 위에 로직 칩인 GPU/xPU와 HBM을 올려 연결하는 패키징 방식입니다. 김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra담당)은 "TSMC와의 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것은 물론, 글로벌 고객들과의 개방형 협업에도 속도를 낼 것"이라며 "앞으로 당사는 고객맞춤형 메모리 플랫폼 경쟁력을 높여 '토털 AI 메모리 프로바이더'의 위상을 확고히 하겠다"고 말했습니다.


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