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SKT, 대학 개발자 멘토링으로 미래 AI 인재 키운다

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Sunday, April 18, 2021, 09:04:09

현장 중심 AI 인재 양성 프로그램 ‘AI 펠로우십’ 5월 16일까지 모집
개발자에 성장 기회 제공..SKT 대학생 아이디어로 서비스 개선

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣSK텔레콤(대표이사 박정호)은 비즈니스 현장 중심의 연구과제를 통해 인공지능 분야 미래 인재들을 육성하는 'SKT AI 펠로우십(SKT AI Fellowship, 이하 AI 펠로우십)' 3기 지원자를 모집한다고 18일 밝혔습니다.

 

2019년 시작된 ‘SKT AI 펠로우십’은 대학(원)생들이 실제 기업에서 근무하는 개발자들의 현실적인 피드백을 통해 AI 전문가로 성장할 수 있도록 돕는 멘토링 프로그램입니다.

 

‘AI 펠로우십’에는 SKT에서 AI 연구와 서비스 개발을 담당하는 석·박사 전문가들이 멘토로 참여, 대학(원)생 개발자들에게 실제 기업 개발환경에서의 연구 경험을 나누고 프로젝트의 완성도를 높일 수 있는 방향에대해 조언합니다.

 

SKT는 ‘AI 펠로우십’ 프로그램이 학생들에게 성장의 기회가 되는 동시에 회사도 학생들의 창의적인 아이디어를 통해 서비스 개선의 효과를 얻을 수 있을 것으로 기대하고 있습니다.

 

실제로 지난해 SKT AI펠로우십 2기에 참여한 ‘한국어 뉴스 요약 모델 개발’ 팀의 연구는 SKT의 차세대 AI 한국어 모델 성능 개선을 이끌어낸 바 있습니다. 당시 멘토로 참여한 SK텔레콤 전희원 매니저(Language Superintelligence Labs)는 “학생들의 열정적인 연구로 자연어 연구 분야에서 부족한 한국어 연구 데이터를확보하는데 도움이 됐다”고 설명했습니다.

 

올해 ‘AI 펠로우십’은 SKT가 보유하고 있는 AI 기술 및 서비스를 중심으로 연구 과제를 제시하고, 지원자들이 제출한 연구 계획서를 검토해 총 11개 팀을 선발합니다.

 

대학(원)생 개발자들은 이번 ‘AI 펠로우십’ 과제를 통해 언어 모델 기반 자연어 처리 기술, 서비스 로봇용 영상분석 인공지능이나 딥러닝 기반의 영상 판별 기술, 5G MEC 환경에 응용할 수 있는 인공지능 기술 등 산업과 직접 관련이 있는 AI 사업 모델을 기획하고 개발할 수 있습니다.

 

‘AI 펠로우십’ 참가신청은 프로그램 홈페이지에서 오는 5월 16일까지 이뤄지며, AI 기술에 관심 있는 대학(원)생이라면 누구나 지원 가능합니다. 지원자들은 3인 이하로 팀을 꾸릴 수 있고, 휴학 중에도 참여할 수있습니다.

 

SKT는 ‘AI 펠로우십’ 지원자의 역량과 아이디어를 중점적으로 평가하기 위해 블라인드 방식으로 선발합니다. 또한 SKT는 ‘AI 펠로우십’에 참여하는 개발자들이 연구에 집중할 수 있도록 팀당 최대 1000만원의 연구비를 지원합니다. 연구비는 개발에 필요한 프로그램과 장비 구매 등 프로젝트 추진 비용으로 활용할 수 있습니다.

 

신상규 SK텔레콤 기업문화센터장은 “대학생 및 대학원생 개발자들이 학교에서 배운 지식을 실무 현장에 적용해볼 수 있도록 깊이 있는 멘토링을 제공할 계획”이라며 “기업은 학생들로부터 창의적 시각과 열정을 배우고, 청년 개발자들은 기업 실무를 미리 체험해 본인의 역량을 높일 수 있는 윈-윈 효과가 기대된다”고 말했습니다.

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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