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역세권 지식산업센터 선호도↑...반도건설, ‘영등포 반도 아이비밸리’ 26일 계약

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Friday, April 23, 2021, 16:04:08

 

인더뉴스 안정호 기자ㅣ매년 지식산업센터 신규 공급이 늘고 있는 가운데 역세권에 선호도가 커지고 있습니다.

 

한국산업단지공단에 따르면 지난해 지식산업센터 신규 승인 건수는 141건으로 역대 최고치를 기록했습니다. 연도별로는 ▲2016년 80건 ▲2017년 76건 ▲2018년 98건 ▲2019년 133건 등입니다.

 

역세권 지식산업센터는 편리한 교통환경에 따른 직주근접성은 물론 역을 중심으로 도로 교통망 역시 잘 구축돼 있어 물류 이동이 수월하고 비용도 절감할 수 있습니다. 근무환경이 좋아 입주 기업체 직원들의 만족도도 높은 것입니다.

 

실제로 역세권을 갖춘 지식산업센터는 단기간 내 완판 행진을 이어가고 있습니다.

 

반도건설(대표 박현일)이 지난해 10월 1·7호선 환승역인 가산디지털단지역과 도보 3분거리의 초역세권 입지에 공급한 ‘가산역 반도 아이비밸리’는 분양한지 보름만에 완판됐습니다.

 

또 지난해 5월 지하철 2호선 문래역과 2·5호선 영등포구청역을 도보로 이용할 수 있는 더블 역세권에 공급된 지식산업센터 ‘생각공장 당산’도 계약 한달만에 완판에 성공했습니다.

 

한 부동산전문가는 “지식산업센터가 우후죽숙 들어서면서 아파트와 마찬가지로 역세권에 대한 선호도가 높아지고 있다”며 “역세권 프리미엄을 통해 직원들의 대중교통 출·퇴근을 고려함과 동시에 시세차익까지 누리는 이른바, ‘두 마리 토끼’를 잡을 수 있기 때문이다”라고 말했습니다.

 

이런 가운데 역세권에서 지식산업센터 분양이 잇따라 눈길을 끕니다.

 

반도건설(대표 박현일)이 영등포역(5호선)과 영등포구청역(2·5호선) 더블역세권 들어서는 지식산업센터 ‘영등포 반도 아이비밸리’ 계약을 26일 실시할 예정입니다. 신안산선(2024년 개통 예정), 강북횡단선(2026년 개통 예정), GTX-B(2027년 개통 예정) 등 철도 교통망이 확충될 예정입니다.

 

영신로, 영등포로, 국회대로 등 주요 도로를 이용해 북쪽으로 양화대교 방면, 동쪽으로 여의도 방면 진입이 쉬우며 4월 개통하는 서울제물포터널을 비롯해 서부간선도로 지하화, 월드컵대교가 오는 8월 개통을 앞두고 있어 사통팔달의 교통망을 확보하게 될 예정입니다. 서울시 영등포구 영등포동6가 145번지 일원에 지하 4층~지상 11층 연면적 3만8870㎡, 228호실과 근린생활시설 32호실로 조성됩니다.

 

현대건설(대표 윤영준)은 도보 거리에 4호선 진접선(올해 개통 예정)·8호선 별내선(연장 확정)으로 더블역세권 예정인 별내별가람역(가칭) 도보거리에 들어서는 지식산업센터 ‘현대 그리너리 캠퍼스 별가람역’을 선보일 예정입니다.

 

향후 서울까지 한 정거장(별내별가람역~당고개역)이면 도달 가능합니다. 또한 인근 별내역에는 GTX-B 노선도 개통 예정이어서 손쉽게 수도권 주요 지역 이동도 가능할 전망입니다. 남양주 별내신도시 도시지원시설용지 15블록에 지하 2층~지상15층 연면적 7만9490㎡ 규모로 들어섭니다.

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안정호 기자 vividocu@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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