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전경훈 삼성전자 사장 “400만개 5G 기지국 통해 초연결 시대 앞당길 것”

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Wednesday, June 23, 2021, 09:06:43

네트워크사업부 최초 단독 글로벌 온라인 행사..차세대 핵심칩·고성능 등 공개
5G로 활성화될 프라이빗 네트워크 솔루션 공개..6G 선제적 기술 투자도 강조

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣ삼성전자(대표이사 김기남·고동진·김현석) 네트워크사업부가 최초로 단독 글로벌 온라인 행사 열었습니다. 

 

22일 삼성전자에 따르면 전경훈 네트워크사업부장(사장)이 직접 진행한 이날 행사는 ‘삼성 네트워크 : 통신을 재정의하다(Samsung Networks: Redefined)’라는 주제로 삼성전자 뉴스룸과 유튜브 채널 등을 통해 전세계에 생중계됐습니다.  

 

삼성전자는 지난해 미국 1위 이동통신사업자인 버라이즌에 이어 올해 일본과 유럽의 1위 사업자인 NTT도코모, 보다폰 등과 잇따라 5G 장비 공급 계약을 체결하는 등 차세대 이동통신 사업을 확장하고 있습니다.

 

전경훈 사장은 이 자리에서 “삼성전자는 4G 이동통신이 보급되기도 전인 지난 2009년에 선제적으로 5G 연구를 시작해 세계 최초 5G 상용화에 성공하는 등 전세계 5G 시장을 주도하고 있다”고 평가했습니다.

 

그러면서 “급성장하고 있는 5G 시장에서 이미 4G 사업 계약 건수보다 더 많은 사업 계약을 수주했다”며 “전세계에서 400만대 이상의 5G 기지국을 공급했다”고 설명했습니다. 

 

이어 “20년 이상의 자체 칩 설계 경험과 독보적인 소프트웨어 역량을 바탕으로 5G 시장에서 그 어느 때보다 빠르게 성장하고 있다”며 “앞으로도 선도 업체와의 파트너십과 차별화된 솔루션을 통해 모든 사물과 사람을 매끄럽게 연결하는 초연결 시대로의 진입 가속화에 앞장 설 것”이라고 말했습니다.

 

삼성전자는 이날 행사에서 ▲기지국용 차세대 핵심칩 ▲차세대 고성능 기지국 라인업 ▲원 안테나 라디오 (One Antenna Radio) 솔루션 ▲5G 가상화 기지국(vRAN) 솔루션 ▲프라이빗 네트워크(Private Network) 솔루션 등을 소개하며 혁신적인 기술로 개인의 일상과 각종 산업 현장에서 네트워크의 역할을 확대하고 재정의하겠다는 비전을 밝혔습니다.

 

◇ 2세대 5G 모뎀칩 등 기지국용 차세대 핵심칩 3종 선봬

 

이날 공개된 기지국용 차세대 핵심칩은 ▲2세대 5G 모뎀칩(5G Modem SoC) ▲3세대 밀리미터웨이브 무선통신 칩(mmWave RFIC) ▲무선통신용 디지털-아날로그 변환 통합 칩(DFE-RFIC Integrated Chip) 등 3종으로 성능과 전력 효율을 높이면서도 기지국 크기를 줄일 수 있다는 게 공통된 특장점입니다.

 

20년 이상의 노하우를 바탕으로 설계된 이들 기지국용 핵심칩 3종은 내년(2022년)에 출시되는 차세대 고성능 기지국 라인업에 탑재될 예정입니다.

 

‘2세대 5G 모뎀칩’은 기존 대비 데이터 처리 용량은 2배로 늘리면서도 쎌(Cell)당 소비전력은 절반으로 줄인 게 특징이며, 5G 통신 필수 기능인 빔포밍(Beamforming) 연산도 지원합니다.

 

‘3세대 밀리미터 웨이브 무선통신 칩’은 28GHz와 39GHz의 2개 고주파대역(mmWave) 주파수를 모두 지원하며, 안테나 크기를 약 50% 줄일 수 있는 첨단 기술을 탑재했습니다.

 

‘무선통신용 디지털-아날로그 변환 통합 칩’은 저주파와 초고주파 통신에 사용되는 디지털 신호와 아날로그 신호를 상호 변환하는 칩으로 지원 주파수 폭을 최대 2배 늘리고 기지국의 무선 신호 출력을 높이면서도 소형화할 수 있는 칩입니다.

 

 

◇ 고성능 기지국 라인업, 첨단 안테나·5G 가상화 기지국 솔루션

 

삼성전자는 ‘3세대 듀얼밴드 컴팩트 매크로(Dualband Compact Macro)’ 기지국과 ‘다중입출력 기지국(Massive MIMO Radio)’ 등 고성능 이동통신 기지국 라인업도 공개했습니다.

 

‘3세대 듀얼밴드 컴팩트 매크로 기지국’은 업계 최초로 2개의 초고주파대역을 동시에 지원하며, 현재까지 공개된 제품 중 최대인 2400MHz의 대역폭을 지원하는 것이 특징입니다.

 

전세계에서 가장 널리 확산되고 있는 중대역 5G 주파수를 지원하는 차세대 ‘다중입출력 기지국’은 400MHz 광대역폭을 지원하며, 새로운 방열 기술을 적용해 최대 통신 속도는 높이면서도 소비전력은 20% 줄였고 크기는 30% 줄여 설치도 쉽습니다.

 

원 안테나 라디오(One Antenna Radio) 솔루션도 공개됐습니다. 3.5GHz 대역을 지원하는 대용량 다중입출력 기지국과 700MHz 대역부터 2.6GHz 대역을 지원하는 수동형(Passive) 안테나를 통합한 것으로, 안테나 설치 공간을 최소화하고, 간편한 설치를 지원해 망 운영 비용을 획기적으로 줄여줍니다.

 

삼성전자는 이밖에 상용 수준의 ‘5G 가상화 기지국(vRAN)’ 솔루션을 공개하며 가상화 기지국 및 코어 분야 선두 업체임을 다시 한 번 입증했습니다.

 

이번 ‘5G 가상화 기지국’은 범용 서버에 전용 소프트웨어를 설치한 것으로 ‘다중입출력 기지국’과 연결돼 멀티 기가비트(Gigabit) 데이터 속도를 지원해 초고속 5G 상용망에도 적용할 수 있는 선택지라는 게 삼성전자의 설명입니다.

 

◇ 프라이빗 네트워크 솔루션 공개·6G 선제적 기술 투자 강조

 

삼성전자는 이날 행사에서 이동통신의 새로운 영역인 ‘프라이빗 네트워크’에 특화된 솔루션을 공개하는 동시에 6G 기술에 대한 비전도 공유했습니다. 

 

또 통신장비, 관리 및 운영 시스템, 단말기, 어플리케이션 등의 포트폴리오를 활용해 사업 규모와 산업군별로 맞춤형 ‘프라이빗 네트워크’을 제안할 수 있다는 점을 강조했습니다. 이어 수원 디지털시티에서 운영하고 있는 ‘5G 스마트 팩토리’와 국내 국가재난안전통신망(PS-LTE) 사업 등을 소개했습니다.

 

최근 삼성전자는 테라헤르츠 데이터 통신에 성공하는 등 차세대 기술에 대한 적극적인 투자하는 등 6G 기술 투자에도 선제적으로 나서고 있습니다.

 

삼성전자는 “5G를 넘어 6G 시대가 도래하면 XR(확장현실), 모바일 홀로그램, 디지털 복제 등 산업의 물리적·기술적 한계를 뛰어넘어 사용자의 손끝에서 모든 것이 이루어지는 시대가 도래할 것”이라며 “그동안의 기술 혁신을 토대로 최첨단의 기술과 솔루션을 제공하겠다”고 말했습니다. 

English(中文·日本語) news is the result of applying Google Translate. <iN THE NEWS> is not responsible for the content of English(中文·日本語) news.

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

2024.04.19 10:02:01

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]가 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 대만 TSMC와 협력하기로 했다고 19일 밝혔습니다. 양사는 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM) 개발을 위해 최근 대만 타이페이에서 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했습니다. SK하이닉스는 "AI 메모리 글로벌 리더인 당사는 파운드리 1위 기업 TSMC와 힘을 합쳐 또 한번의 HBM 기술 혁신을 이끌어 내겠다"며 "고객-파운드리-메모리로 이어지는 3자간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것"이라고 강조했습니다. 양사는 우선 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이(Base Die)의 성능 개선에 나섭니다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV 기술로 수직 연결해 만들어집니다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행합니다. SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나 HBM4부터는 로직(Logic) 선단 공정을 활용할 계획입니다. 다이를 생산하는 데 초미세 공정을 적용하면 다양한 기능을 추가할 수 있기 때문입니다. 이를 통해 성능과 전력 효율 등 고객들의 요구에 부합하는 맞춤형 HBM을 생산한다는 것이 SK하이닉스의 설명입니다. 이와 함께, 양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 'CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)' 기술 결합을 최적화하기 위해 협력하고, HBM 관련 고객사 요청에 공동 대응하기로 했습니다. 'CoWoS'는 TSMC가 특허권을 갖고 있는 고유의 공정으로 특수 기판 인터포저(Interposer) 위에 로직 칩인 GPU/xPU와 HBM을 올려 연결하는 패키징 방식입니다. 김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra담당)은 "TSMC와의 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것은 물론, 글로벌 고객들과의 개방형 협업에도 속도를 낼 것"이라며 "앞으로 당사는 고객맞춤형 메모리 플랫폼 경쟁력을 높여 '토털 AI 메모리 프로바이더'의 위상을 확고히 하겠다"고 말했습니다.


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