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삼성전자 ‘갤Z폴드3’, 가격 낮추고 S펜 지원한다...스펙 유출

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Friday, June 25, 2021, 15:06:07

IT 팁스터 에반 블래스 트위터 통해 갤폴드3, 갤플립3 렌더링 이미지 공개
폴더블 최초로 S펜 별도 지원..전면 디스플레이 커지고 100만원대로 낮춰

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣ삼성전자 하반기 전략 스마트폰인 ‘갤럭시Z폴드3’에 S펜이 지원될 것으로 보입니다. IT기기 팁스터(정보유출자)인 에반 블래스는 지난 24일(현지시간) 트위터를 통해 갤럭시Z폴드3와 Z플립3의 새 렌더링 사진을 공개했습니다. 

 

이번 갤럭시Z폴드3와 갤럭시Z플립3는 지난해보다 한 달 더 빨리 출시해 오는 8월 말 공개될 예정입니다. IT 팁스터와 외신 등을 통해 제품 이미지와 세부사항이 공개된 가운데, 이번에 유출된 랜더링 사진에는 갤럭시Z폴드와 함께 S펜이 함께 등장했습니다. 

 

앞서 IT전문매체 샘모바일은 갤럭시Z폴드3의 미국연방통신위원회(FCC) 인증 통과 소식을 보도하면서 S펜 지원을 기정사실로 했습니다. 또 갤럭시Z폴드3를 사전 예약할 경우 S펜이 무료로 제공될 수 있을 것으로 전망했습니다. 다만, S펜은 스마트폰 내장에 보관하는 것이 아닌 별도 보관이 필요할 것으로 보입니다. 

 

지난 5월 샘모바일은 “갤럭시Z폴드3는 새로운 하이브리드 S펜을 받게될 것”이라며 “화상통화와 동시에 메모를 쉽게할 수 있다”고 보도한 바 있습니다. 

 

갤럭시Z폴드3에는 내부 카메라를 화면 밑으로 숨기는 ‘언더디스플레이카메라(UDC)’ 기술 적용과 함께 방진·방수 지원도 유력합니다. 삼성전자가 자사 스마트폰 UDC 기능을 탑재한 것이 이번이 처음인데요. ‘언더디스플레이카메라’는 디스플레이 밑에 카메라를 배치해 외부에서는 카메라가 보이지 않도록 하는 새로운 기술입니다. 

 

 

전면 디스플레이 크기는 6.2인치, 내부 디스플레이는 7.5인치로 각각 슈퍼 아몰레드를 적용했으며, 모두 120Hz 주사율을 지원할 것으로 알려졌습니다. 애플리케이션 프로세서(AP)는 스냅드래곤888을 탑재하며, 12GB·16GB램에 256GB·512GB 내부 저장용량을 갖췄습니다.

 

후면 카메라는 1200만 화소로 이뤄진 트리플 카메라가 탑재될 전망입니다. 4400mAh 배터리를 탑재하며 25W 빠른 충전을 지원할 것으로 보입니다. 

 

무게도 가벼워질 전망입니다. 삼성전자는 갤럭시폴드 시리즈 무게의 큰 부분을 차지하는 힌지(화면을 접고 펴는 경첩) 부품을 경량화한 것으로 전해졌습니다. 갤럭시Z폴드3는 전작보다 더 개선된 초박형유리(UTG, Ultra Thin Glass)를 적용합니다. 

 

가격도 100만원대로 낮아집니다. 외신 등에 따르면 폴더블폰 제품 가격이 최대 20% 저렴할 것으로 전망했는데요. 이 경우 국내 출고가는 갤럭시Z폴드3가 190만원대, Z플립3는 130만원대로 기존보다 30만~40만원 가량 낮춘 금액입니다. 

English(中文·日本語) news is the result of applying Google Translate. <iN THE NEWS> is not responsible for the content of English(中文·日本語) news.

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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