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‘2조 대어’ 대우건설 인수전, 중흥건설·DS네트웍스 ‘양자 대결’

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Friday, June 25, 2021, 17:06:23

호반건설 본입찰 불참‥연내 매각 완료 예정

 

인더뉴스 안정호 기자ㅣ국내 시공능력평가 6위인 대우건설의 매각 본입찰에 중흥건설과 DS네트웍스 컨소시엄이 참여해 양자 대결을 펼칩니다.

 

25일 투자은행(IB) 업계에 따르면 유력 인수자로 거론됐던 중흥건설과 DS네트웍스 컨소시엄이 이날 대우건설 인수제안서를 제출했습니다. 3년 전 대우건설 우선협상자로 선정됐다가 인수를 포기했던 호반건설도 참여할 것이란 전망이 나왔지만 본입찰에 참여하지 않았습니다.

 

아울러 아랍에미리트 아부다비투자청(ADIA), 중국건축정공사(CSCE) 등 모두 불참한 것으로 알려졌습니다.

 

KDB인베스트먼트는 대우건설의 지분 50.75%를 보유한 최대주주로 뱅크오브아메리카(BOA)를 통해 대우건설 원매자들에게 이날 오후까지 구체적인 제안서 제출을 요청했습니다.

 

KDBI는 이번 입찰에서 이행보증금 약 500억원을 받으며 인수를 포기하더라도 이를 돌려주지 않겠다는 방침을 내세우며 강한 매각 의지를 보이고 있습니다. 이는 매각 완결성을 높이기 위한 조치로 이행보증금은 인수금에 포함됩니다.

 

대우건설의 매각 가격은 2조원이 넘을 것으로 보입니다. KDBI는 최저입찰가로 주당 9500원을 산정한 것으로 알려진 가운데 대우건설의 시가총액 3조5993억원(25일 종가 기준)에 경영권 프리미엄을 더하면 매각가는 2조원이 넘을 것으로 추정됩니다.

 

본입찰에 참여한 중흥건설과 DS컨소시엄은 모두 인수의지가 강한 것으로 알려집니다.

 

중흥건설은 시공능력평가 15위인 중흥토건과 35위인 중흥건설 등 30여개 계열사를 거느리고 있는 중견업체로 지난해 중흥건설과 중흥토건을 통해 국내주택 정비시장에서 1조원 수주를 기록했습니다.

 

정창선 중흥그룹 회장은 올해 신년 기자간담회에서 “연내 재계 서열 20위권에 드는 것이 목표”라고 말한데 인수를 통해 해외사업 진출과 대형 건설사로 거듭나겠다는 의지를 보이기도 했습니다.

 

DS네트웍스는 사모펀드 운용사 스카이레이크에쿼티파트너스, 인프라 전문 투자사 IPM과 컨소시엄을 구성해 인수를 준비 중입니다. DS네트웍스는 대우건설 인수금 절반을 맡고, 재무적투자자(FI)로 컨소시엄에 합류한 스카이레이크에쿼티파트너스와 IPM이 나머지를 맡을 예정입니다.

 

KDBI는 매각 여부를 검토해 이르면 다음 달 중 우선협상대상자를 선정하고 올해 안으로 매각이 마무리될 전망입니다.

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안정호 기자 vividocu@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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