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현대ENG, ‘힐스테이트 청주 센트럴’ 30일 견본주택 개관

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Friday, July 30, 2021, 09:07:49

49층 랜드마크 복합문화단지‥생활숙박시설, 지상 8층~49층·전용면적 165~187㎡ 160실 공급

 

인더뉴스 안정호 기자ㅣ현대엔지니어링(대표 김창학)은 30일 충청북도 청주시 흥덕구에 들어서는 ‘힐스테이트 청주 센트럴’의 견본주택을 열고 분양에 나선다고 밝혔습니다.

 

힐스테이트 청주 센트럴은 청주고속버스터미널을 비롯해 생활숙박시설, 판매시설, 문화·집회시설 등을 갖춘 지하 7층~지상 49층 규모의 하이엔드 복합문화공간으로 조성됩니다.

 

이 중 생활숙박시설은 지상 8~49층, 전용면적 165~198㎡ 총 162실 규모로 들어서며 이번 공급분은 전용면적 165~187㎡ 160실입니다. 타입별로는 ▲165㎡A 39실 ▲165㎡A-H 1실 ▲165㎡B 39실 ▲165㎡B-H 1실 ▲165㎡C 40실 ▲187㎡ 40실로 구성됩니다.

 

힐스테이트 청주 센트럴 단지 내 복합쇼핑몰에는 현대시티아울렛이 입점 예정이며 청주 최초 MX관을 갖춘 메가박스와 휴식·문화공간도 함께 들어설 예정입니다. 아울러 홈플러스, 현대백화점, 롯데아울렛 등의 대형 쇼핑시설과 충북대학교병원, 하나병원, 청주현대병원, 가경동행정복지센터, 가경동우체국 등의 편의시설도 가깝게 이용할 수 있습니다.

 

또한 충북선 청주역과 KTX 오송역이 인근에 위치해 있고 차량으로는 경부고속도로 청주IC, 중부고속도로 서청주IC, 청주 제2순환로 및 36번국도를 통해 청주 시내·외로 이동이 가능합니다.

 

힐스테이트 청주 센트럴은 현대엔지니어링이 청주시에 처음으로 공급하는 ‘힐스테이트’ 브랜드 단지로 실내 공간엔 2.5~2.9m의 천정고에 우물천정까지 적용해 개방감이 우수하고 현관 창고와 대형수납 복도장, 안방 드레스룸, 알파룸 등 풍부한 수납공간이 제공됩니다. 아일랜드 식탁과 주방이 11자 형태로 배치된 대면형 공간으로 꾸며지며 옆으로 통창이 설치돼 환기에도 유리합니다.

 

아울러 층간 소음을 감소시키기 위해 기둥식 구조에 더해 일반 아파트 두께(210mm)보다 90mm 두꺼운 300mm의 슬래브를 적용했고 욕실 층상 배관 및 로이 24mm 창호 등을 설치했습니다.

 

힐스테이트 청주 센트럴 단지에는 총 8대의 엘리베이터가 설치되며 각 실 현관 바로 앞에 프라이빗 엘리베이터 홀을 제공할 계획이며 실당 2.36대의 주차공간을 제공할 예정입니다. 단지 최상층인 49층에는 스카이라운지를 비롯해 파티연회룸, 옥외 스파·사우나, 피트니스센터, GX룸 등의 커뮤니티 시설이 들어섭니다. 또한 조식서비스(딜리버리), 룸 클리닝, 세탁, 방문세차, 파티·케이터링 서비스 등과 같은 호텔식 컨시어지 서비스도 제공합니다.

 

힐스테이트 청주 센트럴은 외부에서 흡착된 미세먼지를 제거하는 에어샤워시스템이 단지 로비와 실내 현관에 설치돼 쾌적한 실내 생활이 가능하며 힐스테이트 Hi-oT서비스도 적용돼 스마트폰으로 조명, 냉·난방, 환기 원격제어 및 엘리베이터 호출, 주차위치 확인, 자동문 열림이 가능하고 음성인식에 의한 조명 제어가 가능합니다.

 

힐스테이트 청주 센트럴은 청약 통장이 없더라도 만 19세 이상이면 소득이나 주택 소유에 상관없이 전국 청약이 가능하며 조정대상지역과 무관하게 전매가 자유롭습니다. 분양 일정은 다음달 4일부터 6일까지 3일간 청약 접수를 시작으로 10일 당첨자 발표를 거쳐 12일부터 14일까지 3일간 정당 계약을 진행합니다.

 

힐스테이트 청주 센트럴의 분양홍보관은 충청북도 청주시 흥덕구 비하동 35-23번지(터미널사거리 옆)에 위치해 있습니다. 입주는 2025년 4월 예정입니다.

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안정호 기자 vividocu@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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