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“탄소중립시대 신시장 선점”…현대重그룹, 한국형 CO₂주입 플랫폼 개발

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Tuesday, August 31, 2021, 13:08:18

한국석유공사와 공동 개발..2025년부터 연간 40만톤 동해가스전에 저장

 

인더뉴스 문정태 기자ㅣ국내 기업이 탄소중립시대 신시장 선점을 위한 해상 플랫폼을 개발했습니다.

 

현대중공업그룹 계열사인 현대중공업과 한국조선해양이 한국석유공사와 공동으로 ‘한국형 해상용 이산화탄소(CO₂) 주입 플랫폼’을 개발하고, 31일 노르웨이 DNV로부터 기본승인(Approval In Principle)을 획득했습니다.

 

이날 현대중공업 울산 본사에서 열린 기본승인 인증식에는 현대중공업 주원호 기술본부장, 한국조선해양 김성준 미래기술연구원장, 한국석유공사 안범희 신성장사업추진단장, DNV 에너지시스템코리아 임동호 대표 등이 참석했습니다.

 

이번에 개발한 이산화탄소 주입 플랫폼은 육상에서 포집 및 고압 액화돼 운반선이나 파이프라인을 통해 해상으로 운송된 이산화탄소를 해저 지중에 저장하는 역할을 합니다. 현대중공업 등 3사는 오는 2025년부터 동해가스전에 연간 40만톤 규모의 이산화탄소를 지중(地中) 저장하는 것을 목표로 이 플랫폼을 개발했습니다.

 

생산이 곧 종료될 예정인 동해가스전에는 연간 40만톤 씩 30년간 총 1200만톤의 이산화탄소가 저장될 계획입니다.

 

최근 대표적인 온실가스인 이산화탄소 감축을 위한 ‘이산화탄소 포집 및 저장기술(이하 CCS, Carbon Capture and Storage)’이 주목받고 있는데요. CCS는 산업시설 등 이산화탄소 대량 발생원에서 이산화탄소를 포집한 후 압축해 육상이나 해저 지중에 저장하는 기술입니다.

 

현대중공업 등 3사는 올해 4월 동해가스전을 활용한 CCS 사업에 관한 국책과제 협약을 체결했습니다. 이에 따라 현대중공업이 플랫폼 기본설계를 수행하고, 한국조선해양은 이산화탄소 주입 공정 및 시스템을 개발했으며, 한국석유공사는 동해가스전 운영 경험을 토대로 주입 및 운영 기준을 제공했습니다.

 

지난해 국제에너지기구(IEA) 리포트에 따르면, 전 세계적 탄소중립 실현을 위해서는 CCS 구현이 필수적이며 2060년까지 매년 20개 이상의 이산화탄소 지중 저장 프로젝트가 발주될 것으로 예측됩니다.

 

현대중공업그룹 관계자는 “오랜기간 쌓아온 현대중공업의 차별화된 해상 플랫폼 기술력을 바탕으로 이번 해상용 이산화탄소 주입 플랫폼을 개발했다”며 “앞으로 해양 분야의 탄소중립 시장을 선도할 수 있도록 관련 기술 개발에 더욱 역량을 집중할 것”이라고 말했습니다.

 

한편, 현대중공업그룹은 지난 5월부터 울산시 등과 함께 오는 2025년까지 부유식 풍력단지에서 100MW급 그린수소 실증설비를 구축하는 사업에 참여하고 있습니다. 지난 7월에는 한국선급(KR), 선박해양플랜트연구소(KRISO)와 ‘한국형 해상풍력 부유체 모델’을 공동 개발하는 등 탄소중립을 위한 친환경 기술 개발에 박차를 가하고 있습니다.

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문정태 기자 hopem1@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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