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주택건설의 날 행사…‘금탑산업훈장’에 권혁운 IS동서 회장

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Wednesday, December 15, 2021, 16:12:48

주택건설인 55명에 정부포상 및 표창 수여

 

인더뉴스 홍승표 기자ㅣ권혁운 아이에스동서 회장이 2021 주택건설의 날 행사 시상식에서 금탑산업훈장을 받는 영예를 안았습니다.

 

대한주택건설협회(이하 주건협)와 한국주택협회, 주택도시보증공사는 15일 오후 3시 전경련회관 1층 그랜드볼룸에서 2021 주택건설의 날 행사를 개최했습니다. 행사는 주택건설의 날을 맞아 국내 1만여 명의 주택건설인을 격려하고자 마련됐으며 국토교통부의 후원으로 진행됐습니다.

 

행사에는 노형욱 국토교통부 장관을 비롯해 국회 국토교통위원장을 맡고 있는 이헌승 국민의힘 의원 등 건설업계 주요 관계자 100여 명이 참석했습니다. 행사는 축사, 기념사를 시작으로 시상식 등으로 꾸며졌습니다.

 

노형욱 장관은 축사를 통해 “주택시장이 확고한 안정세로 전환되려면 정부와 민간이 머리를 맞대고 안정적 주택공급 기반을 확충하는 것이 중요하다”며 “정부와 민간의 소통·협력을 바탕으로 ‘원하는 입지에 원하는 주택이 충분히 공급된다’는 믿음을 심어줄 때 시장안정이 가속화될 것”이라고 말했습니다.

 

기념사에 나선 박재홍 주건협 회장은 “전국 1만 여 주택건설인들은 정부의 주택정책에 적극 호응해 국민 주거수준 향상과 주택가격 안정에 기여해 왔다”며 “기술개발과 경영혁신을 통해 소비자의 높아진 주거 욕구를 충족시킬 수 있는 첨단품질의 주택 공급에 최선을 다 하겠다”고 밝혔습니다.

 

 

이후 진행된 시상식에서는 주택산업발전에 기여한 공로가 큰 주택건설인과 단체 관계자 등 55명에게 정부포상, 대통령 표창, 국무총리 표창, 국토부장관 표창이 수여됐습니다.

 

국가산업발전에 기여한 공적이 뚜렷한 이에게 수상하는 훈장 가운데 최고 등급에 해당하는 금탑산업훈장은 권혁운 아이에스동서 회장이 차지했습니다. 권 회장은 지난 1987년 회사 설립 후 전국에 아파트·오피스텔 등을 안정적으로 공급해 주거안정과 주택산업 발전에 기여한 점을 높이 평가받았습니다.

 

김상국 삼성물산 상무와 곽기진 한진중공업 상무, 성석동 수영주택건설 대표이사는 은탑산업훈장을 받았습니다.

 

산업포장은 강윤석 롯데건설 상무보 등 6명이, 대통령 표창은 최원석 금호건설 상무 등 8명이 받았습니다. 서호성 SK에코플랜트 그룹장, 이재환 현대엔지니어링 상무, 황규석 롯데건설 상무보 등 10명은 국무총리 표창 수상자로 선정됐습니다.

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홍승표 기자 softman@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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