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대유위니아그룹, ‘종합R&D센터’ 준공…재계 50위 진입 교두보 마련

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Thursday, March 17, 2022, 15:03:30

성남시 대유R&D 센터 부지 지하2층, 지상21층 규모
2025년 재계순위 50위권 진입 위한 교두보 마련

 

 

인더뉴스 김용운 기자ㅣ대유위니아그룹 경기도 성남시에 ‘대유위니아타워 종합R&D센터’ 준공을 완료하고 주요 계열사 입주를 본격적으로 시작했습니다.

 

17일 대유위니아그룹에 따르면 대유위니아타워 종합R&D센터는 기존 대유R&D센터 부지 일부를 활용해 연면적 2만8006㎡에 지하 2층, 지상 21층 규모로서 지난 2019년 6월부터 32개월의 공사기간을 거쳐 2월말 준공을 완료했습니다.

 

대유위니아타워 종합R&D센터는 국내외 최고 사양의 통합방재시스템을 구축하고 효율적인 건물 관리 및 운용, 실시간 에너지 사용량 모니터링, 연구소 내 정보 유출 방지를 위한 첨단 보안솔루션 채택 등 고도화된 스마트 자동화 시스템을 갖췄습니다.

 

또한 스마트오피스 사내관리시스템 도입으로 임직원 전용 모바일 솔루션을 활용해 다양한 사무 예약 및 출입, 결제 시스템 지원 등 유연한 업무 환경도 구현했습니다.

 

대유위니아그룹 주요 계열사들은 이달 말까지 순차적으로 대유위니아타워 종합R&D센터 입주를 진행합니다. 먼저 서울 역삼동 대유타워에 입주하고 있는 가전 계열사인 위니아딤채와 위니아전자의 경영지원본부와 상품기획실, 해외영업본부 등 일부 부서가 이전합니다.

 

이어 기존 대유R&D센터에 입주해 있던 위니아기술연구원과 디자인센터를 비롯해 전장 계열사인 대유에이텍과 대유에이피, 정보통신과 신에너지 사업을 담당하는 대유플러스의 연구개발 관련 부서 등도 대유위니아타워 종합R&D센터로 이전합니다. 기존 대유R&D센터는 시험동으로 운영할 예정입니다.

 

 

대유위니아그룹 관계자는 “올해는 그룹 경영방침인 ‘글로벌경영, New Way, 발상의 전환’을 바탕으로 2025년 재계순위 50위권 그룹 진입이라는 중장기 목표를 되새기는 원년”으로 “대유위니아타워 종합R&D센터는 그룹의 새로운 성장 동력을 확보하는 컨트롤타워로서 한층 강화된 기술 경쟁력으로 혁신 제품들을 선보여 나가겠다”고 밝혔다.

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김용운 기자 lucky@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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