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인천영종·평택고덕서 6차 공공 사전청약…1316가구 공급

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Wednesday, April 06, 2022, 09:04:52

인천영종 74㎡·84㎡ 중형면적..평택고덕 51㎡·59㎡ 소형면적 공급
평택고덕, 공공사전청약 최초 전국 거주자 대상 청약접수 진행

 

인더뉴스 홍승표 기자ㅣ인천영종, 평택고덕 2개 지구에서 1316가구 규모의 6차 공공 사전청약이 진행됩니다.

 

한국토지주택공사(이하 LH)는 오는 11일부터 인천영종, 평택고덕을 대상으로 2022년 3월 6차 공공 사전청약 청약접수를 진행한다고 6일 밝혔습니다. 인천영종 공급물량은 589가구로 74㎡, 84㎡의 선호도 높은 중형면적으로 공급됩니다. 평택고덕 공급물량은 727가구이며 51㎡, 59㎡의 소형 면적으로 공급됩니다.

 

인천영종의 경우 전체 물량의 50%를 인천 거주자에게 우선 공급하며 나머지 50%는 경기도, 서울 거주자를 대상으로 신청을 받습니다.

 

평택고덕은 공공사전청약 최초로 전국 거주자를 대상으로 청약접수가 진행됩니다. 전체 물량의 30%를 1년 이상 평택에 거주한 이에게 우선 공급하며 20%는 6개월 이상 경기도 거주자를 대상으로 공급합니다. 나머지 50%는 전국 거주자를 대상으로 청약을 받습니다.

 

신청자격은 사전청약 입주자모집 공고일인 지난 3월 29일 기준으로 해당지역에 거주 중인 무주택세대구성원이며 입주자저축 가입자여야 합니다. 일부 유형의 경우 소득·자산 요건도 충족해야 합니다. 전체 물량의 15%는 일반공급 유형으로, 85%는 특별공급 유형으로 공급합니다.

 

 

일반공급의 경우, 공급지역이 청약과열지역이기 때문에 1순위 요건을 충족하는 자에게 우선 공급됩니다. 입주자저축에 가입해 2년이 경과하고, 24회 이상 납입한 세대주로, 5년 이내 세대구성원 전체가 다른 주택 당첨 이력이 없는 경우 1순위에 해당합니다. 

 

특별공급은 신혼부부(30%), 생애최초(25%), 다자녀(10%), 노부모 부양(5%) 등 세부 유형으로 나눠 청약이 진행됩니다.

 

신혼부부 특별공급은 ▲혼인기간 7년 이내 신혼부부 ▲예비신혼부부 ▲6세 이하 자녀를 둔 한부모 가족이 신청 가능합니다. 입주자저축 가입기간이 6개월을 경과하고 6회 이상 납입해야 하며, 소득과 자산보유 기준도 충족해야 합니다. 다자녀 유형은 만 19세 미만 자녀를 3명 이상 둔 경우 신청할 수 있습니다.

 

각 지구에 공급되는 사전청약 물량의 추정분양가는 3억 원 내외이며 주변시세의 60~80% 수준으로 산정됐습니다. 3.3㎡ 당 추정분양가는 인천영종의 경우, 1005만원, 평택고덕은 1410만원 수준입니다.

 

청약 일정은 오는 11일부터 12일까지 특별공급 접수를 시작으로 13일부터 14일까지는 일반공급 1순위 접수, 15일에는 2순위 접수가 진행됩니다. 이후 오는 28일 당첨자를 발표할 예정입니다.

 

LH 관계자는 "이번 사전청약은 수도권뿐만 아니라 전국에 거주하는 무주택자에게 내 집 마련의 좋은 기회가 될 수 있어 많은 관심을 부탁드린다"며 "앞으로도 무주택자 분들의 내 집 마련 고충을 덜어 드릴 수 있도록 노력하겠다"고 말했습니다.

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홍승표 기자 softman@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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