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LG화학, 중국 B&M과 양극재 합작법인 설립…배터리소재 경쟁력 강화

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Tuesday, May 31, 2022, 09:05:40

연간 생산능력 약 6만톤 이상..2024년부터 부분 양산 시작

 

인더뉴스 홍승표 기자ㅣLG화학[051910]이 중국 화유코발트의 양극재 자회사인 B&M과 합작법인 설립을 통해 배터리 소재 분야 경쟁력 강화에 나섭니다.

 

LG화학은 30일 서울 여의도 LG트윈타워에서 B&M과 양극재 합작법인 설립 계약을 체결했다고 밝혔습니다.

 

합작법인은 지난해 말 정부의 상생형 일자리로 출범한 LG화학의 자회사인 구미 양극재 법인에 화유코발트의 자회사인 B&M이 지분을 투자하는 방식으로 설립됩니다. 확보 지분의 경우 LG화학은 51%, B&M은 49%입니다.

 

합작법인은 초기 출자금을 비롯해 추가적 자금 조달을 통해 오는 2025년까지 약 5000억원을 투자할 계획입니다. 전환되는 합작법인의 CEO는 구미 양극재 법인의 김우성 대표가 맡게 됩니다.

 

합작법인은 LG화학이 집중적으로 육성하고 있는 차세대 전기차 배터리용 NCMA(니켈·코발트·망간·알루미늄) 양극재 전용 라인으로 구축됩니다. 연간 생산 능력은 약 6만톤 이상 규모이며, 오는 2024년 하반기부터 부분 양산을 시작할 예정이다. 이는 고성능 순수 전기차(EV, 500km 주행 가능) 약 50만대분의 배터리를 만들 수 있는 수준입니다. 

 

LG화학은 합작법인 설립을 통해 원재료 가격 상승이 심화되는 상황에서 니켈, 코발트 등 양극재 생산에 필수적인 메탈을 안정적으로 확보할 수 있게 됐습니다. B&M은 합작법인 지분 투자를 통한 수익 확보 및 글로벌 양극재 사업 확대를 추진할 방침입니다.

 

B&M의 모회사인 화유코발트는 합작법인에 핵심 메탈의 안정적인 공급 보장과 LG화학과 합작한 중국 취저우 법인을 통해 구미 합작법인 운영에 필요한 전구체를 공급한다.

 

신학철 LG화학 부회장은 "이번 합작법인 설립으로 핵심 원재료에서 양극재까지 이어지는 강력한 수직 계열 체계를 더욱 공고히 하게 됐다"며 "고객들에게 최고의 품질과 원가 경쟁력을 갖춘 배터리 소재 공급을 지속적으로 확대해 세계 최고 종합 전지 소재 회사로 도약해 나갈 것"이라고 밝혔습니다.

 

진설화(Chen Xuehua) 화유코발트 동사장은 "이번 합작으로 화유는 합작법인에 핵심 메탈을 안정적으로 공급하고, B&M은 양극재 사업의 글로벌 확대를 위해 중요한 한 걸음을 더 나아갈 수 있게 됐다"며 "LG화학과 협력을 통해 LG화학의 기술 및 시장 경쟁력과 화유의 강한 밸류 체인 역량을 결합하여 전세계 리튬전지 업계의 발전에 기여해 나갈 것"이라고 말했습니다.

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홍승표 기자 softman@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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