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현대건설, ‘힐스테이트 대명 센트럴 2차’ 분양…총 1243가구

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Monday, June 13, 2022, 13:06:53

아파트 977가구·주거형 오피스텔 266가구로 구성

 

인더뉴스 홍승표 기자ㅣ현대건설[000720]은 대구 남구 대명동 일원에 ‘힐스테이트 대명 센트럴 2차’를 분양한다고 13일 밝혔습니다.

 

단지는 지하 4층~지상 최고 48층, 전용면적 84~174㎡, 977가구, 주거형 오피스텔 전용면적 84㎡ 266실 등 총 1243가구로 구성됩니다.

 

타입 별 가구 수는 △84㎡A 180세대 △84㎡B 180세대 △84㎡C 133세대 △84㎡D 116세대 △119㎡A 142세대 △119㎡B 138세대 △119㎡C 71세대 △174㎡A 9세대 △174㎡B 8세대며 주거형 오피스텔은 △84㎡OA 178실 △84㎡OB 44실 △84㎡OC 44실입니다.

 

현대건설 측은 선호도 높은 판상형을 도입하고 일부 가구를 제외하고 4Bay 이상 평면 설계와 넓은 동간거리, 남향 위주의 단지 배치 등을 통해 조망과 개방감을 확보한 단지라고 설명했습니다. 또, 역세권에 위치하고 주요 생활 인프라도 풍부한 것이 장점이라고 덧붙였습니다.

 

단지 주변으로는 대구도시철도 1호선 영대병원역이 도보권에 위치하며, 1·3호선 환승역인 명덕역까지 2정거장, 1·2호선 환승역인 반월당역까지 3정거장이면 이동 가능합니다. 인근 도로망도 잘 구축돼 있어 자차를 이용할 경우에도 주요 지역으로의 원활하게 이동할 수 있습니다.

 

이와 함께, 의료시설, 관공서, 대형마트, 전통시장 등 생활시설과 주요 교육기관도 단지와 가까우며 공원, 천도 인접해 생활 편의와 쾌적성을 두루 갖춘 단지가 될 것으로 기대되고 있습니다.

 

다양한 개발호재도 눈에 띄는 상황입니다. 단지 남측에 위치한 미군기지 캠프워커 내 동편 활주로와 서편 도로 반환이 합의됨에 따라 3차순환도로 미개통 구간이 추진될 예정이며, 복합문화공간 건립, 영대병원역 중심 대규모 개발 추진 등 굵직한 호재들이 대기하고 있습니다.

 

단지는 힐스테이트의 특화 설계가 적용됩니다. 이와 함께 다양한 평면 선택과 바닥, 주방벽, 아트월 등에 대해 유상 옵션을 도입해 고급스러운 분위기를 연출할 수 있도록 도울 예정입니다. 타입에 따라 팬트리 등 다양한 수납공간도 마련되며, 오피스텔의 경우 3룸 설계를 적용해 공간 극대화에 초점을 맞췄습니다.

 

분양 관계자는 "지난해 공급된 힐스테이트 대명 센트럴이 우수한 청약 경쟁률과 단기간 완판까지 성공하며 인기를 누렸던 만큼 지역민들 사이에서 2차 단지에 대한 관심이 뜨겁다"며 "단지가 공급되면 2332세대 규모 브랜드타운이 형성돼 일대를 대표하는 랜드마크로 자리매김할 것”이라고 말했습니다.

English(中文·日本語) news is the result of applying Google Translate. <iN THE NEWS> is not responsible for the content of English(中文·日本語) news.

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홍승표 기자 softman@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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