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LG화학, 차세대 소재 ‘CNT’ 생산능력 향상 가속화

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Wednesday, May 31, 2023, 12:05:00

충남 대산에 CNT 4공장 착공..2025년 가동 목표
가동 시 현재 생산능력 2배 규모인 6100톤 확대

 

인더뉴스 홍승표 기자ㅣLG화학[051910]은 충남 대산에 CNT(탄소나노튜브) 4공장을 착공했다고 31일 밝혔습니다.

 

LG화학에 따르면, 공장은 오는 2025년 가동을 목표로 공사에 들어갈 예정입니다. 본격 가동이 이뤄질 경우 CNT 생산능력은 현재의 두 배 이상인 총 6100톤으로 확대됩니다. 현재 LG화학의 CNT 생산능력은 총 2900톤 규모입니다.

 

CNT는 전기와 열전도율이 구리 및 다이아몬드와 동일하고 강도는 철강의 100배에 달하는 소재입니다. 전기차 배터리, 반도체 공정용 트레이, 자동차 정전도장 외장재 등 활용 범위가 다양해 차세대 소재 중 하나로 주목받고 있습니다.

 

LG화학은 지난 2017년 500톤 규모의 CNT 1공장을 처음 가동했으며, 2020년대 들어 시장 확대에 따라 매년 CNT 공장 증설을 진행 중입니다.

 

가동하는 CNT 공장은 자체 개발한 유동층 반응기로 생산라인 당 연간 최대 600톤까지 양산할 수 있다고 LG화학 측은 설명했습니다. 이와 함께, 독자기술 기반의 코발트(Co)계 촉매를 사용해 배터리 품질에 영향을 줄 수 있는 자성이물 함량을 낮춘 것도 특징이라고 덧붙였습니다.

 

유동층 반응기는 CNT 파우더를 반응기 내부에서 회전시켜 CNT 생산성이 획기적으로 증가하는 기술을 의미합니다.

 

LG화학의 CNT는 LG에너지솔루션을 포함한 배터리 업체에 양극 도전재 용도로 공급될 예정이며, 추후에는 다양한 산업 분야로 공급을 확대해 나갈 계획입니다. 또, CNT 시장의 지속적인 성장세와 향후 시장 상황 등을 고려해 추가적인 공장 증설을 적극 검토한다는 계획입니다.

 

양극 도전재는 전기 및 전자의 흐름을 돕는 소재로 리튬이온배터리 전반의 첨가제로 쓰이고 있는 소재입니다. 특히, 니켈 코발트 망간 등의 활물질로 구성된 양극재 내에서 리튬이온의 전도도를 높여 충·방전 효율을 증가시키는 역할을 하고 있습니다.

 

CNT를 양극 도전재로 사용할 경우 기존 카본블랙 대비 약 10% 이상 높은 전도도를 구현해 도전재 사용량을 약 30% 줄이고, 그만큼을 양극재로 더 채워 배터리의 용량과 수명을 크게 늘릴 수 있다는 이점이 있습니다. 또, 음극재 및 리튬황·전고체 배터리와 같은 차세대 전지 분야에서도 CNT가 주력 도전재로 검토되고 있습니다.

 

노국래 LG화학 석유화학사업본부장은 "국내 최대 규모의 CNT 생산능력과 우수한 품질로 전지 소재 분야에서 확고한 경쟁 우위를 선점하고 잠재력이 큰 신시장도 적극 개척해 나갈 것"이라고 말했습니다.

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홍승표 기자 softman@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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