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삼성전자, 차세대 파운드리 비전 제시…2027년 1.4나노 공정 양산 계획

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Thursday, June 13, 2024, 14:06:53

'파운드리 포럼 2024' 개최…글로벌 팹리스 AI 수요 대응
2027년 BSPDN 기술 적용한 2나노 및 1.4나노 양산 예정
'원스톱 AI 솔루션'으로 삼성전자의 강점 살려나갈 것

 

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 2나노, 4나노 등에 적용되는 차세대 최선단 반도체 파운드리(위탁생산) 공정 기술 로드맵을 제시하고 글로벌 팹리스 AI 시장 확대에 적극 나섭니다.

 

삼성전자는 미국 실리콘밸리에서 지난 12일(현지시간) '삼성 파운드리 포럼 2024'를 개최하고 AI 시대를 주도할 파운드리 기술 전략을 공개했다고 13일 밝혔습니다.

 

이번 포럼에서는 고객의 AI 아이디어 구현을 위한 삼성전자의 최선단 파운드리 기술 소개, 메모리반도체와 어드밴스드 패키지 사업부와 협력을 통한 시너지 창출 등에 대한 사업전략이 제시됐습니다.

 

또한 파운드리, 메모리반도체, 어드밴스드 패키지 사업부가 '원팀'으로 원스톱 AI솔루션을 제공하는 턴키 서비스를 통한 기술, 서비스 차별화 전략도 선보였습니다.

 

2나노 공정에 후면전력공급 도입…2027년 1.4나노 공정 양산

 

삼성전자는 이번 포럼에서 BSPDN(후면전력공급 기술, Back Side Power Delivery Network) 기술을 적용한 2나노 공정(SF2Z)을 2027년까지 준비한다고 발표했습니다. BSPDN은 전류 배선층을 웨이퍼 후면에 배치해 전력과 신호 라인의 병목 현상을 개선하는 기술입니다.

 

SF2Z는 기존 2나노 공정 대비 PPA(공정기술 평가하는 소비전력, 성능, 면적의 영어 약자) 개선 효과뿐 아니라, 전류의 흐름을 불안정하게 만드는 전압강하 현상을 대폭 줄일 수 있어 고성능 컴퓨팅 설계 성능을 향상 시킨다고 회사 측은 설명했습니다.

 

 

광학적 축소(optical shrink)를 통해 PPA 경쟁력이 추가 향상된 신규 4나노 공정 기술 SF4U도 공개하고 2025년에 양산할 예정입니다.

 

특히, 삼성전자는 2027년에 1.4나노 공정 양산을 계획하고 있으며 목표한 성능과 수율을 확보하고 있다고 설명했습니다.

 

현재 삼성전자는 3나노 공정에 GAA 트랜지스터 기술을 최초로 적용해 2022년부터 양산 중이며 올 하반기에 2세대 3나노 공정 양산을 시작할 계획입니다.

 

메모리·패키지와 원팀 협력으로 AI 솔루션 턴키 서비스 제공

 

삼성전자는 파운드리와 메모리, 어드밴스드 패키지 사업을 모두 보유해 고객사에 맞춤형 AI 솔루션을 제공하는 데 유리하다고 밝혔습니다

 

삼성은 세 개 사업 분야간 협력으로 고성능·저전력·고대역폭 강점을 갖춘 통합 AI 솔루션을 제공합니다. 삼성 솔루션을 이용하는 고객사는 공급망을 단순화하면서 편의성은 높여 칩 개발부터 생산에 걸리는 시간을 약 20% 단축할 수 있다는 설명입니다.

 

삼성전자는 2027년에는 AI 솔루션에 적은 전력 소비로도 고속 데이터 처리가 가능한 광학 소자 기술까지 통합해 고객들이 필요로 하는 '원스톱 AI 솔루션'을 제공할 계획입니다.

 

 

최시영 삼성전자 파운드리 사업부 사장은 이날 기조연설에서 "AI 반도체에 최적화된 GAA(게이트 올 어라운드) 공정 기술과 적은 전력 소비로도 고속 데이터 처리가 가능한 광학 소자 기술 등을 통해 AI 시대에 고객들이 필요로 하는 원스톱 AI 솔루션을 제공할 것이다"고 말했습니다.

 

삼성전자는 이같은 최선단 공정 기술과 함께 기존 8인치 파운드리 공정 라인에도 PPA와 가격경쟁력을 개선한 공정 기술을 제공하는 등 고객 포트폴리오 다변화를 통해 올해 AI 제품 수주 규모는 작년 대비 80% 이상 성장했다고 밝혔습니다.

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이종현 기자 flopig2001@inthenews.co.kr

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SK하이닉스, 세계 최초 ‘HBM4’ 개발 완료 및 양산 체제 구축

SK하이닉스, 세계 최초 ‘HBM4’ 개발 완료 및 양산 체제 구축

2025.09.12 09:19:10

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]는 초고성능 AI(인공지능)용 메모리 신제품인 6세대 고대역폭메모리 HBM4 개발을 성공적으로 마무리하고 양산 체제를 세계 최초로 구축했다고 12일 밝혔습니다. SK하이닉스는 “새로운 AI 시대를 견인하게 될 HBM4 개발에 성공하고 이 기술적 성과를 기반으로 세계 최초의 HBM4 양산 체제를 구축했다”며 “이를 통해 AI 메모리 기술 리더십을 글로벌 시장에서 다시 한번 입증했다”고 설명했습니다. 개발을 이끈 조주환 SK하이닉스 부사장(HBM개발 담당)은 "HBM4 개발 완료는 업계에 새로운 이정표가 될 것"이라며 "고객이 요구하는 성능, 에너지 효율, 신뢰성을 모두 충족하는 제품을 적시에 공급해 AI 메모리 시장에서의 경쟁 우위를 확보하고 신속한 시장 진입을 실현할 것"이라고 말했습니다. 최근 AI 수요와 데이터 처리량이 폭발적으로 늘어나면서 더 빠른 시스템 속도를 구현하기 위한 고대역폭 메모리 수요가 급증하고 있습니다. 여기에 막대한 전력을 소모하는 데이터센터 운영 부담까지 가중되면서 메모리의 전력 효율 확보가 고객들의 핵심 요구사항으로 부상했습니다. SK하이닉스는 향상된 대역폭과 전력 효율을 갖춘 HBM4가 이 같은 요구를 해결하는 최적의 솔루션이 될 것으로 전망하고 있습니다. 이번에 양산 체제를 갖춘 HBM4는 이전 세대보다 2배 늘어난 2048개의 데이터 전송 통로(I/O)를 적용해 대역폭을 2배로 확대하고 전력 효율은 40% 이상 높였습니다. 이는 세계 최고 수준의 데이터 처리 속도와 전력 효율을 실현한 것입니다. 이 제품을 고객 시스템에 도입 시 AI 서비스 성능을 최대 69%까지 향상시킬 수 있어, 데이터 병목 현상을 근본적으로 해소하는 동시에 데이터센터 전력 비용도 크게 줄일 것으로 회사는 전망했습니다. SK하이닉스는 이 제품에 10Gbps 이상의 동작 속도를 구현해, HBM4의 JEDEC( 국제반도체표준협의기구) 표준 동작 속도인 8Gbps를 크게 뛰어 넘었습니다. SK하이닉스는 장에서 안정성이 검증된 자사 고유의 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 공정과 10나노급 5세대 D램 기술을 이번 제품에 적용해 양산 과정의 리스크도 최소화했습니다. 김주선 SK하이닉스 김주선 AI Infra 사장(CMO)은 “이번에 세계 최초로 양산 체제 구축을 공식 발표한 HBM4는 AI 인프라의 한계를 뛰어넘는 상징적인 전환점으로, AI 시대 기술 난제를 해결할 핵심 제품”이라며 “AI 시대가 요구하는 최고 품질과 다양한 성능의 메모리를 적시에 공급해 풀 스택 AI 메모리 프로바이더(Full Stack AI Memory Provider)로 성장해 나가겠다”고 말했습니다.




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