인더뉴스 이진솔 기자ㅣ‘반도체 비전 2030’으로 시스템 반도체 업계 1위를 노리는 삼성전자가 극자외선(EUV) 장비를 적용한 시스템반도체 파운드리(반도체 위탁생산) 초미세공정 확대에 나섭니다.
삼성전자는 21일 “EUV 기반 최첨단 제품 수요 증가에 대응하기 위해 경기도 평택캠퍼스에 파운드리 생산 시설을 구축한다”고 밝혔습니다. 지난 2월 EUV 전용 화성 ‘V1’ 가동에 이어 평택에도 파운드리 라인을 지어 초미세 공정 적용 범위를 늘리는 셈입니다.
이번 투자는 지난해 4월 발표한 반도체 비전 2030 관련 후속 조치의 일환입니다. 오는 2030년까지 12년간 총 투자액은 133조 원 규모입니다. 삼성전자는 “시스템 반도체 분야에서 글로벌 1위를 달성하기 위한 세부 전략을 실행하고 있다”고 했습니다.
삼성전자는 이달 평택 파운드리 라인 공사에 착수했습니다. 내년 하반기 가동할 계획입니다. 지난해에는 화성 S3 라인에서 업계 최초로 EUV 기반 7나노 양산을 시작한 바 있으며 올해 V1라인까지 범위를 지속 확대하고 있습니다.
여기에 오는 2021년 평택 라인이 가동하면 7나노 이하 초미세 공정 기반 제품 생산 규모는 더욱 증가할 전망입니다. 또한 삼성전자는 올해 하반기 화성에서 5나노 제품을 양산하고 평택 파운드리 라인에서도 주력으로 생산할 계획입니다.
정은승 삼성전자 DS부문 파운드리사업부 사장은 “5나노 이하 공정 제품의 생산 규모를 확대해 EUV 기반 초미세 시장 수요 증가에 적극적으로 대응해 나갈 것”이라며 “전략적 투자와 지속적인 인력 채용을 통해 파운드리 사업의 탄탄한 성장을 이어나갈 것”이라고 말했습니다.
삼성전자는 “글로벌 파운드리 시장은 5세대(5G) 이동통신, 고성능컴퓨팅(HPC), 인공지능(AI), 등 신규 응용처 확산에 따라 초미세 공정 중심 성장이 예상된다”며 “프리미엄 모바일 칩을 필두로 하이엔드 모바일 및 신규 응용처로 첨단 EUV 공정 적용을 확대해 나간다는 전략”이라고 했습니다.
