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작년 국내은행 순이익 12.3조...전년比 11.5%↓

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Monday, March 08, 2021, 12:03:00

이자·비이자이익 증가에도 충당금 영향으로 감소
대손비용 ‘7조’ 기록..전년 대비 89% 가량 증가

 

인더뉴스 유은실 기자ㅣ지난해 국내 은행들의 당기순이익은 12조 3000억원으로 지난 2019년보다 1조 6000억원 가량 감소한 것으로 나타났습니다. 이자·비이자이익 모두 증가했지만 코로나19 영향을 반영해 충당금 적립을 대폭 확대한 영향으로 풀이됩니다.

 

8일 금융감독원이 발표한 ‘국내은행의 2020년 영업실적(잠정)’에 따르면 국내은행의 지난해 당기순이익은 12조 3000억원을 기록했습니다. 전년(13조 9000억원) 대비 11.5%(1조 6000억원) 감소한 수치입니다.

 

이자이익은 41조 2000억원으로 전년(40조 7000억원) 대비 1.2%(5000억원) 증가했습니다. 대출·예금에 수반되는 기금출연료·예금보험료의 비용을 차감한 이자이익은 36조원으로 직전년도 대비 0.4% 소폭 하락했습니다.

 

이는 순이자마진(NIM) 하락에도 불구하고 대출채권 등 운용자산이 9.7% 늘어난 데 기인합니다. 지난해 4분기 NIM은 1.38%로 역대 최저 수준을 기록했습니다.

 

비이자이익은 7조 3000억원으로 전년(6조 6000억원) 대비 11.7%(8000억원) 증가했습니다. 금리 하락에 따라 유가증권관련이익이 4000억원 늘고, 환율 변동성 확대로 외환·파생상품도 4000억원 증가했기 때문으로 분석됩니다. 신탁관련이익은 DLF사태 이후 영업 위축 등으로 3000억원 감소했습니다.

 

지난해 국내은행의 판매비와 관리비는 24조 1000억원으로 전년(23조 7000억원) 대비 1.9% 증가했습니다. 인건비는 늘었지만 물건비는 전년과 유사한 수준을 보였습니다.

 

대손비용의 경우 7조원으로 직년년도(3조 7000억원) 대비 88.7%(3조 3000억원) 증가했습니다. 지난해 국내은행이 적립한 대손비용은 분기별로 ▲1분기 1조원 ▲2분기 2조 4000억원 ▲3분기 1조 5000억원 ▲4분기 2조 2000억원입니다.

 

주요 손익비율 모두 하락했습니다. 전년 대비 자산·자본이 증가했으나 당기순이익이 감소하며 총자산순이익률(ROA)이 0.42%, 자기자본순이익률(ROE)는 5.63%을 기록했습니다. 이는 전년 대비 각각 0.1%포인트, 1.09%포인트 떨어진 수치입니다.

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유은실 기자 yes24@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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