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GS건설, ‘용현자이 크레스트’ 4월 분양 예정

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Thursday, March 18, 2021, 10:03:58

지하 2층~지상 34층 17개동, 전용면적 59~84㎡..민간참여형 공공분양

 

인더뉴스 안정호 기자ㅣGS건설(대표 허창수, 임병용)이 인천에서 민간참여형 공공분양 대단지 아파트를 선보입니다.

 

GS건설 컨소시엄은 18일 인천광역시 미추홀구 용마루구역 1블록(용현동 535-1번지 일원) 주거환경개선사업을 통해 ‘용현자이 크레스트’를 다음 달 분양한다고 18일 밝혔습니다.

 

용현자이 크레스트는 지하 2층~지상 34층, 17개동, 전용면적 59~84㎡, 총 2277가구로 구성되며, 이 중 지구주민 우선 공급을 제외한 일반 분양은 1400여 가구입니다. 다만 일반분양 가구 수는 지구주민 우선 공급 물량 계약에 따라 추후 변동될 수 있습니다.

 

용현자이 크레스트 일반분양 청약 조건은 최초 입주자 모집공고일 기준 수도권(서울, 경기, 인천)에 거주하는 청약저축 또는 주택청약종합저축에 가입한 무주택 세대 구성원이며, 전매 제한은 6년이고 의무 거주 기간은 3년입니다.

 

용현자이 크레스트는 우수한 교통 인프라를 갖추고 있습니다. 우선 수인분당선 인하대역과 숭의역을 걸어서 이용할 수 있는 역세권 단지입니다. 또한 경인고속도로와 연결되는 인천대로, 제2경인고속도로, 수도권 제2순환 고속도로(인천~김포간) 등의 광역도로망도 가까이 있어 차량을 통해 서울 및 수도권 일대로 접근성이 우수합니다.

 

여기에 인하대~루원시티 사거리 총 9.4㎞ 구간을 연결하는 ‘S-BRT 사업’이 추진 중이며, 송도역~경부고속철도를 연결하는 ‘인천발 KTX 직결사업’(2020년 12월 착공)도 2025년 개통될 예정에 있어 교통여건은 더욱 좋아질 전망입니다.

 

단지에서 반경 1.5㎞ 이내에 홈플러스(인하점, 숭의점), 용현시장, 인하대병원, 인천보훈병원, 주민센터, 미추홀구청, 도원실내체육관, CGV 등 편의·문화시설이 위치해 편리한 주거생활을 누릴 수 있습니다. 아울러 용정근린공원, 수봉공원 등도 도보권에 있어 여가생활을 즐길 수 있습니다.

 

민간참여형으로 조성되는 만큼 상품성도 우수합니다. 단지는 전세대 남향(정남향, 남동향, 남서향)위주 배치와 4Bay판상형 중심 설계로 채광성과 통풍성이 뛰어나며, 15%대의 낮은 건폐율과 100% 지하주차장 설계로 단지의 쾌적성을 높였습니다.

 

특히 용현자이 크레스트는 고급 아파트에서 주로 볼 수 있는 시그니처 커뮤니티 시설을 도입해 입주민의 만족도를 높일 전망입니다. 먼저 용현자이 크레스트 108동 최상층에 스카이라운지가 조성됩니다. 고품격 주거공간의 상징인 스카이라운지에서 입주민들은 아름답고 확 트인 도심 전경을 보며 휴식을 취할 수 있습니다.

 

GS건설 관계자는 “도심에 조성되는 사업인 만큼 주변에 생활 인프라가 풍부하고, 주변에 다양한 개발사업들이 진행되고 있어 미래가치가 예상된다”며 “민간참여형 사업으로 상품성은 높고, 공공 분양으로 공급돼 주변 시세 대비 가격경쟁력을 갖추고 있는 만큼 수요자들의 높은 관심이 기대된다”고 말했습니다.

 

견본주택은 인천시 미추홀구 용현동 524-55번지에 마련돼 있으며, 일반분양을 위한 개관은 4월 예정입니다. 견본주택은 코로나19 방역 수칙을 준수해 운영되며, 사전 예약을 통해서만 방문이 가능합니다. 입주는 2023년 11월 예정입니다.

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안정호 기자 vividocu@inthenews.co.kr


SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

2024.04.19 10:02:01

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]가 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 대만 TSMC와 협력하기로 했다고 19일 밝혔습니다. 양사는 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM) 개발을 위해 최근 대만 타이페이에서 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했습니다. SK하이닉스는 "AI 메모리 글로벌 리더인 당사는 파운드리 1위 기업 TSMC와 힘을 합쳐 또 한번의 HBM 기술 혁신을 이끌어 내겠다"며 "고객-파운드리-메모리로 이어지는 3자간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것"이라고 강조했습니다. 양사는 우선 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이(Base Die)의 성능 개선에 나섭니다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV 기술로 수직 연결해 만들어집니다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행합니다. SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나 HBM4부터는 로직(Logic) 선단 공정을 활용할 계획입니다. 다이를 생산하는 데 초미세 공정을 적용하면 다양한 기능을 추가할 수 있기 때문입니다. 이를 통해 성능과 전력 효율 등 고객들의 요구에 부합하는 맞춤형 HBM을 생산한다는 것이 SK하이닉스의 설명입니다. 이와 함께, 양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 'CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)' 기술 결합을 최적화하기 위해 협력하고, HBM 관련 고객사 요청에 공동 대응하기로 했습니다. 'CoWoS'는 TSMC가 특허권을 갖고 있는 고유의 공정으로 특수 기판 인터포저(Interposer) 위에 로직 칩인 GPU/xPU와 HBM을 올려 연결하는 패키징 방식입니다. 김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra담당)은 "TSMC와의 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것은 물론, 글로벌 고객들과의 개방형 협업에도 속도를 낼 것"이라며 "앞으로 당사는 고객맞춤형 메모리 플랫폼 경쟁력을 높여 '토털 AI 메모리 프로바이더'의 위상을 확고히 하겠다"고 말했습니다.


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