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SKT, 국립국어원과 협력해 AI 한국어 모델 개발 나선다

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Wednesday, April 07, 2021, 15:04:06

국립국어원의 자원 활용..한국어에 최적화된 차세대 언어 모델 개발
1500억개 매개변수 가진 거대 언어 모델로 다양한 산업 분야 활용 가능

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣSK텔레콤이 AI한국모 모델 개발에 나섭니다. 

 

7일 SK텔레콤(대표이사 박정호)에 따르면 국립국어원(원장 소강춘)과 업무 협약을 체결하고, 국립국어원의 언어 정보를 활용해 한국어에 최적화된 차세대 인공지능(AI) 언어 모델을 개발하기로 했습니다. 


차세대 AI 한국어 모델은 사람의 능력 수준으로 평가되는 GPT-3와 유사한 성능을 발휘하는 한국어 범용 언어 모델(이하 GLM, General-Purpose Language Model)로, 언어 관련 문제풀이, 글짓기, 번역 및 주어진 문장에 따라 간단한 코딩을 수행할 수 있는 GPT-3의 기능을 한국어에서도 구현할 수 있게 됩니다.


GPT-3는 Open AI가 개발한 영어 기반의 최신 AI 언어 모델로 기존 GPT-2보다 자연스러운 언어 표현이 가능하고 범용적 사용이 가능합니다. 


GLM은 일상의 감성대화, 다양한 업종의 고객센터 대화뿐 아니라 시사, 문학, 역사, 게임에 이르기까지 다양한 영역의 언어 활동에 적용될 수 있으며, 이를 기반으로 새로운 산업 분야에 추가 활용될 수 있을 것으로 기대됩니다.


SKT가 개발하는 GLM은 1500억개의 매개변수를 가진 거대 언어 모델로 개발될 예정인데요. 최신 언어 모델인 GPT-3가 1750억개의 매개변수를 가지고 있어 이전 버전인 GPT-2보다 100배 이상 크고, 보다 높은 정확도와 넓은 활용도를 갖고 있는 점을 감안하면, GLM은 한국어 AI 언어 모델의 결정판이 될 것으로 예상됩니다.


매개변수는 서로 다른 함수에 공통적으로 영향을 미치는 변수로 일반적으로 매개변수가 많을수록 언어 모델의 성능이 높아집니다. 


SKT는 올해 말까지 GLM을 개발해 내부 서비스를 통해 모델 성능을 검증한 후 상용화를 진행할 예정이며, 이후 다양한 서비스에도 적용할 계획입니다. 또한, 한국어 언어모델 성능 평가 방법 개발과 한국어 데이터 품질 평가 연구도 추진할 예정입니다. 


SKT는 2018년부터 AI 언어모델을 개발해 왔으며, 2019년 KoBERT를 개발해 챗봇 등에 활용하고 있습니다. 지난해 4월 KoGPT-2를 개발 완료해 챗봇의 대화를 보다 자연스럽게 발전시켰으며, 2020년 10월에는 뉴스나 문서를 고품질 요약문으로 만들어내는 능력 등 텍스트 처리 역량이 뛰어난 KoBART를 개발해 자연어 이해·처리 영역의 기술력을 강화해 왔습니다.


이와 함께 국립국어원은 올해 국어 정보처리 시스템 경진대회를 SKT의 AI 언어 모델을 활용해 AI의 언어소통 능력을 겨루는 방식으로 개편해 한글 주간에 개최하기로 했습니다. 


SKT 데이비스 에릭 하트먼 Language Superintelligence Labs장은 “SKT는 한국어에 최적화된 인공지능 언어모델을 선제적으로 개발해 한국어의 정보화에 이바지하고 있다”며 이번 국립국어원과의 협력을 계기로 한국어의 과학화, 세계화에도 기여할 계획”이라고 말했습니다.


정희원 국립국어원 어문연구실장은 “앞으로도 인공지능 개발에 필요한 언어 정보자원을 지속적으로 발굴해 관련 산업계와 학계에서 유용하게 활용될 수 있도록 시스템을 구축해 나가겠다”고 말했습니다.

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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