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LG, 국내 배터리 사업에 10년간 15조원 투자한다…“허브 조성할 것”

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Thursday, July 08, 2021, 17:07:34

K-배터리 발전 전략 보고 대회..총 15.1조 투자해 배터리 허브 구축 등 핵심 과제 추진

 

인더뉴스 안정호 기자ㅣLG가 오는 2030년까지 15조1000억원을 투자해 대한민국을 글로벌 배터리 기술과 인재 허브로 만듭니다.

 

김종현 LG에너지솔루션 사장은 8일 오창 2공장 부지에서 열린 ‘K-배터리 발전 전략 보고대회’에서 3대 핵심 과제를 포함한 국내 투자 전략을 발표했습니다.

 

이날 김종현 사장은 “LG는 1999년 국내 최초로 리튬이온 이차전지 양산을 시작했고, 2009년 세계 최초로 현대차와 협력해 리튬이온 전지를 자동차에 적용한 이후 전세계 주요 자동차 업체로 사업을 확대해 왔다”며 “보유 특허 수 2만4000여건으로 세계 1위, 전기차 배터리 시장 점유율 세계 1위, 생산 능력 세계 1위 등의 기록을 세우며 기술력을 증명했다”고 말했습니다.

 

LG에너지솔루션의 전기차배터리 수주잔고는 현재 기준 180조원을 돌파했습니다. LG에너지솔루션은 차세대 배터리에서도 세계 1위를 공고히 하기 위해 ▲국내 배터리R&D 및 생산기술 삼각허브 구축 ▲LG IBT 설립을 통한 배터리 전문 인력 육성 ▲소부장 업체 협력을 통한 밸류체인 강화 등 3대 핵심 과제를 추진한다고 밝혔습니다.

 

김종현 사장은 “LG(LG에너지솔루션·LG화학)는 향후10년간 연구·개발(R&D)분야 9조7000억원을 포함해 총15조1000억원을 국내에 투자하고, 국내 8000여개의 일자리 창출에도 기여하겠다”고 말했습니다.

 

이번 투자는 국내를 배터리 R&D 및 생산기술 메카로 육성하고 소재의 국산화를 가속화하는 데 중점을 두고 있습니다. LG에너지솔루션은 차세대 배터리 기술 개발, 스마트 팩토리 구현을 위한 생산기술 확보 및 생산라인 증설 등에 12조4000억원을 투자합니다.

 

LG화학은 배터리 관련 첨단 소재 기술 개발 및 양극재 생산능력 확대에 2조7000억원을 투자할 계획입니다.

 

◇ 국내에 배터리 기술 허브‥R&D 및 생산기술 삼각 허브 구축

 

LG에너지솔루션은 국내가 R&D 및 생산 기술 허브가 되어 차세대 배터리 개발과 생산기술을 선도하기 위해 오창, 대전, 수도권을 중심으로 ‘배터리 R&D 및 생산기술 삼각 허브’를 구축합니다.

 

먼저, LG에너지솔루션은 오창2공장을 스마트 팩토리 전초기지로 만듭니다. 구체적으로 2023년까지 약 37만7000㎡부지에 차세대 제품 개발을 위한 파일럿 설비를 비롯해 스마트형 공장 차세대 설비를 구축할 계획입니다.

 

 

앞서 2009년 전기차 배터리를 세계 최초로 양산한 오창1공장은 현재 연간 17GWh 배터리 생산 능력을 갖추고 있습니다. 현재 오창1공장 인력은 6700여명으로 자동차전지, ESS전지, 소형전지 등 다양한 제품을 생산하고 있습니다. 오창1공장은 국내 수주 물량 생산과 함께 전체적인 글로벌 물량 조절 기능을 담당하게 됩니다.

 

대전 R&D 캠퍼스는 고용량 사원계 양극재, 고용량 실리콘계 음극재 등 차세대 소재 및 미래형 공정 혁신을 통한 제품의 차별화를 이끌 방침입니다. LG에너지솔루션은 대전에 2023년 말까지 연구동도 추가로 건설할 계획입니다.

 

마곡·과천 등 수도권 연구소는 리튬황·전고체 전지 등 차세대전지 연구개발에 집중합니다. 또한 신사업 인큐베이션·오픈이노베이션 거점으로 활용해 스타트업과 협업 공간을 제공할 예정입니다.

 

 

김종현 사장은 “LG에너지솔루션은 배터리 R&D 및 생산기술 삼각 허브의 유기적 운영으로 특허 등 IP(지식재산권) 확보를 늘리고 해외 생산기지에 핵심 기술을 전파할 것”이라며 “독보적인 기술력을 보유한 배터리 기업으로 자리매김해 한국이 최고의 기술 강국이 될 수 있도록 기여하겠다”고 말했습니다.

 

◇ 배터리 전문 교육기관 LG IBT 설립‥‘소부장’ 육성 등 밸류 체인 강화

 

LG에너지솔루션은 업계 최초로 차세대 배터리 전문 인력 조기 육성을 위해 오창 2공장에 LG IBT(Institute of Battery Tech)를 설립합니다.

 

LG IBT는 오창 2공장 내 최대 400명 수용 가능한 지하1층~지상6층, 연면적 1만9500㎡ 규모로 지어질 전망입니다. 2023년 1월 준공을 목표로 올해 11월 착공할 예정입니다.

 

아울러 LG에너지솔루션은 국내 다수의 소부장(소재·부품·장비) 업체와 공동 개발 및 품질개선 활동 등 협력을 강화하고 수출을 확대해 배터리 밸류 체인을 강화한다는 계획입니다.

 

앞서 LG에너지솔루션은 지난 10년간 국내 소부장 업체와 지속 협력해 왔으며 이를 통해 최근 3년간 국산화 비율을 소재 43%, 부품 72%, 장비 87%까지 확대했습니다.

 

김종현 사장은 “현재 에너지 패러다임이 변화하고 있고, 전례없이 급성장하는 배터리 시장의 오늘은 미래 먹거리 주도권의 향방을 가늠하는 중요한 기로에 놓여있다”며 “현재의 성과에 안주하지 않고, 차세대 배터리 기술을 선도하여 K-배터리가 ‘글로벌 No.1’ 위상을 지킬 수 있도록 기술개발과 혁신에 더욱 박차를 가하겠다”고 강조했습니다.

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안정호 기자 vividocu@inthenews.co.kr


SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

2024.04.19 10:02:01

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]가 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 대만 TSMC와 협력하기로 했다고 19일 밝혔습니다. 양사는 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM) 개발을 위해 최근 대만 타이페이에서 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했습니다. SK하이닉스는 "AI 메모리 글로벌 리더인 당사는 파운드리 1위 기업 TSMC와 힘을 합쳐 또 한번의 HBM 기술 혁신을 이끌어 내겠다"며 "고객-파운드리-메모리로 이어지는 3자간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것"이라고 강조했습니다. 양사는 우선 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이(Base Die)의 성능 개선에 나섭니다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV 기술로 수직 연결해 만들어집니다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행합니다. SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나 HBM4부터는 로직(Logic) 선단 공정을 활용할 계획입니다. 다이를 생산하는 데 초미세 공정을 적용하면 다양한 기능을 추가할 수 있기 때문입니다. 이를 통해 성능과 전력 효율 등 고객들의 요구에 부합하는 맞춤형 HBM을 생산한다는 것이 SK하이닉스의 설명입니다. 이와 함께, 양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 'CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)' 기술 결합을 최적화하기 위해 협력하고, HBM 관련 고객사 요청에 공동 대응하기로 했습니다. 'CoWoS'는 TSMC가 특허권을 갖고 있는 고유의 공정으로 특수 기판 인터포저(Interposer) 위에 로직 칩인 GPU/xPU와 HBM을 올려 연결하는 패키징 방식입니다. 김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra담당)은 "TSMC와의 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것은 물론, 글로벌 고객들과의 개방형 협업에도 속도를 낼 것"이라며 "앞으로 당사는 고객맞춤형 메모리 플랫폼 경쟁력을 높여 '토털 AI 메모리 프로바이더'의 위상을 확고히 하겠다"고 말했습니다.


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