인더뉴스 이진솔 기자 | SK하이닉스(대표 박정호·이석희)가 10나노급 4세대(1a) 미세공정을 적용한 8Gbit(기가비트) LPDDR4 모바일 D램 양산을 이달 초 시작했다고 12일 밝혔습니다.
반도체 업계는 10나노대 D램부터 세대별로 알파벳 기호를 붙여 호칭하고 있으며 1x(1세대), 1y(2세대), 1z(3세대)에 이어 1a는 4세대 기술입니다. 1a 기술이 적용된 모바일 D램 신제품은 하반기부터 스마트폰 제조사들에 공급될 예정입니다.
이 제품은 SK하이닉스 D램 중 처음으로 극자외선 노광장비인 EUV 공정 기술을 통해 양산된다는 의미가 있다고 회사 측은 설명했습니다. 앞서 SK하이닉스는 1y(2세대) 제품 생산 과정에서 EUV를 일부 도입해 안정성을 확인한 바 있습니다.
공정이 극도로 미세화되면서 반도체 기업들은 웨이퍼에 회로 패턴을 그리는 포토 공정에 EUV 장비를 잇달아 도입하고 있습니다. 업계에서는 앞으로 EUV 활용 수준이 기술 리더십 우위를 결정짓는 중요한 요소가 될 것으로 보고 있습니다. SK하이닉스는 이번에 EUV 공정기술 안정성을 확보한 만큼, 향후 1a D램 모든 제품을 EUV를 활용해 생산하겠다는 계획입니다.
SK하이닉스는 신제품 생산성 향상으로 원가 경쟁력을 높이는 효과를 기대하고 있습니다. 1a D램은 이전 세대(1z) 같은 규격 제품보다 웨이퍼 한 장에서 얻을 수 있는 D램 수량이 약 25% 늘어났습니다. 올해 전 세계적으로 D램 수요가 늘어나면서 글로벌 메모리 반도체 수급에 1a D램이 큰 역할을 해줄 것으로 회사는 보고 있습니다.
이번 신제품은 LPDDR4 모바일 D램 규격의 최고 속도(4266Mbps)를 구현하면서도 기존 제품 대비 전력 소비를 약 20% 줄였습니다. 저전력 강점을 보강함으로써 탄소 배출을 줄일 수 있어 SK하이닉스는 이 제품이 ESG(환경·사회·지배구조) 경영 관점에서도 의미가 있다고 판단하고 있습니다.
SK하이닉스는 이번 LPDDR4 제품에 이어, 지난해 10월 세계 최초로 출시한 차세대 D램인 DDR5에는 내년 초부터 1a 기술을 적용할 계획입니다.
조영만 SK하이닉스 1a D램 TF장 부사장은 “이번 1a D램은 생산성과 원가경쟁력이 개선돼 높은 수익성을 기대할 수 있는 제품”이라며 “EUV를 양산에 본격 적용함으로써 최첨단 기술을 선도하는 기업으로서의 위상을 공고히 할 수 있을 것”이라고 밝혔습니다.
