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4880번 쪼개기 송금으로 코인 구매…외국환거래법 위반 603건 적발

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Monday, November 15, 2021, 15:11:18

금융위, ‘외국환거래법 위반관련 과태료 부과사례’ 발표
신고 기피한 5000 달러 이하 쪼개기 송금도 다수 적발
유학자금 송금으로 눈속임 후 코인 구매 사례 많아

 

인더뉴스 정석규 기자ㅣ유학비에 쓴다며 외국으로 보낸 돈을 가상자산(암호화폐)에 투자하거나, 금융당국의 감시를 피하고자 거액을 쪼개기로 송금하는 사례가 늘고 있습니다.

 

금융위원회가 15일 발표한 ‘외국환거래법 위반 관련 과태료 부과사례 공유’ 자료에 따르면, 해외 송금 과정에서 외국환거래법을 위반해 과태료를 부과한 사례가 올해 들어 11월까지 603건으로 집계됐습니다.

 

과태료 부과 건수는 2018년 707건에서 2019년 629건, 지난해 486건으로 2년 연속 감소했지만 올해 들어 전년 대비 24% 증가했습니다.

 

대표적인 위반 유형은 국외 유학생이 유학자금으로 쓴다며 증빙서류를 제출해 송금한 뒤 국외 가상자산을 구매하는 경우입니다. 과태료 부과 사례를 보면 유학생 A씨는 12개월 동안 5억 5000만 엔을 송금해 국외 거래소에서 가상자산 구매에 썼고, B씨는 7개월 간 865만 달러를 송금해 가상자산을 샀습니다.

 

수십억 원 이상 거액을 5000 달러 이하씩 쪼개기 송금하는 경우도 다수 적발됐습니다. 이는 한 번 송금할 때 5000 달러 이하는 신고 없이 송금할 수 있는 현행 외국환거래법을 악용한 것입니다,

 

구체적 사례를 살펴보면 유학생 C씨는 3개월 동안 4880 차례에 걸쳐 1444만 5000 달러를 외국으로 송금했고, D씨는 1755회에 걸쳐 10개월 간 1523만 6000 달러를 보냈습니다.

 

금융위 관계자는 “유학자금 등 명목으로 관련 서류를 제출한 뒤 당초 목적과 다르게 자금을 유용하거나 거액을 분할 송금한 경우 지급 절차 위반으로 간주한다”며 “신고 의무가 있는 자본거래는 송금 시점·내용 등을 감안해 단일 송금으로 인정될 경우 자본거래 미신고로 과태료가 부과될 수 있다”고 말했습니다.

 

또 “올해 안에 외국환은행 대상 설명회를 열어 위반 사례를 공유하겠다”며 “법령 준수를 위한 외국환은행의 내부통제 장치 마련 여부와 활용 실태도 지속해서 점검할 예정”이라고 전했습니다. 

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정석규 기자 itnno1@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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