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현대건설, 서울 도심교통 요충지에 ‘UAM 이착륙장’ 건설 추진

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Monday, April 18, 2022, 11:04:30

현대차·이지스자산운용과 ‘UAM 버티포트 사업 활성화’ MOU

 

인더뉴스 홍승표 기자ㅣ현대건설[000720]이 미래형 교통허브로 주목받는 도심항공교통(이하 UAM)의 성공적 실현을 목표로 전략적인 상호 협약을 체결했습니다. 이번 협약을 바탕으로 서울 도심 내 UAM 버티포트를 성공적으로 조성한다는 목표입니다.

 

현대건설은 지난 15일 현대자동차, 이지스자산운용과 함께 서울 종로구 현대건설 본사 사옥에서 UAM 버티포트의 성공적 실현과 사업 활성화를 위한 업무협약을 체결했다고 밝혔습니다.

 

UAM 버티포트는 도심 내 위치한 UAM 이착륙 공간이자 도심 주요 교통요충지에 위치하는 신규 인프라 시설입니다. 향후에는 주택·업무·상업시설과 연계해 다양한 개발 확장성이 예상되며, 오는 2040년 글로벌 UAM 시장규모 1700조 중 인프라 시설이 740조 규모로 예상되며 성장할 것으로 기대되고 있습니다.

 

이번 MOU를 통해 각 사는 ▲ UAM 버티포트 사업지 선정을 위한 공동 협력 ▲ UAM 버티포트 사업화를 위한 공동 노력 수행 ▲ UAM 버티포트 사업모델 개발을 위한 협력 ▲ 기타 UAM 관련 적극적 상호교류에 대한 내용을 담았으며, 긴밀한 협력관계를 구축할 계획입니다.

 

현대건설은 이지스자산운용과 공동 개발중인 밀레니엄 힐튼호텔 부지 개발 사업에 버티포트 설치 및 운영을 추진하기로 협의했습니다. 사업은 기존 자산을 매입해 복합건물을 개발하고 시공 및 운영하는 사업으로 광역교통(KTX 서울역, 공항철도, GTX)과 인접해 있는 등 도심교통 주요 요충지에 위치해 있습니다.

 

사업 목표는 현대차에서 개발 중인 UAM의 상용화 시기에 맞춰 해당 자산을 새 교통 거점지 중 하나로 개발하는 것으로 설정했습니다. 3개 사는 밀레니엄 힐튼호텔 부지 외에도 국내 설치 예상 사업지들 또한 지속 발굴해 나갈 예정입니다. 

 

윤영준 현대건설 대표이사 사장은 "업무협약을 통해 UAM 상용화 이전 단계에서 사업화 방안, 컨셉 수립 등 버티포트 관련 개발역량을 선제적으로 확보해 국내 도심항공교통 시장을 선도해 나갈 것"이라며 "스마트시티와 연계한 UAM 특화도시 적용 등 다양한 모델 개발에 지속 힘쓸 것"이라고 강조했습니다.

 

현대건설은 현대자동차와 지난 2020년 ‘K-UAM의 성공적 실현 및 시험비행실증을 위한 업무협약’ 및 2021년 ‘도심항공교통의 성공적 실현 및 생태계 구축협력’ MOU 체결을 통해 유수의 선도사들과 함께 UAM 생태계 발전에 참여 중입니다.

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홍승표 기자 softman@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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