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SK, 빌게이츠가 설립한 SMR 기업과 손잡아

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Tuesday, May 17, 2022, 15:05:09

빌게이츠 설립한 테라파워와 사업 협력 위한 양해각서 체결
차세대 소형모듈원자로 기술 통해 탄소 감축 행보 본격화

 

인더뉴스 김용운 기자ㅣSK㈜와 SK이노베이션이 차세대 소형모듈원자로(Small Modular Reactor, 이하 SMR)기업과의 사업협력을 통해 글로벌 탄소 감축을 위한 행보에 본격적으로 나섰습니다. 

 

17일 SK에 따르면 장동현 SK㈜ 부회장과 김준 SK이노베이션 부회장은 이날 서울 종로구 SK서린사옥에서 크리스 르베크(Chris Levesque) 테라파워 CEO 등 주요 경영진과 만나 포괄적 사업 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했습니다.

 

테라파워는 지난 2008년 마이크로소프트 창업자인 빌 게이츠가 설립한 회사로 유명합니다. 차세대 원자로의 한 유형인 소듐냉각고속로(Sodium-cooled Fast Reactor, 이하 SFR) 설계기술을 보유한 원전 업계의 혁신 기업으로 평가받습니다.

 

테라파워의 SFR 기술인 Natrium™(나트륨)은 현재 가동 중인 3세대 원전에 비해 안전성과 경제성 측면에서 한단계 진일보한 4세대 원전 기술로, 미국 에너지부의 자금 지원 하에 2028년 상용화를 목표로 실증 사업을 진행 중입니다.

 

빌 게이츠는 지난해 2월 전 세계 동시 발간한 '빌 게이츠, 기후재앙을 피하는 법'에서 넷제로(온실가스 배출 제로)를 달성하기 위해 테라파워가 개발 중인 차세대 소형모듈원자로의 역할을 강조해 화제가 되기도 했습니다. 

 

테라파워는 SMR 외에도 치료용 방사성 동위원소인 악티늄-225(Ac-225) 생산 기술도 보유하고 있습니다. 악티늄-225는 정상세포 손상 없이 암세포를 표적·파괴하는 표적 알파 치료제 원료 중 가장 효과가 좋다는 평가를 받고 있습니다. 테라파워는 악티늄-225를 생산·판매해 이를 활용한 표적 알파 치료제 상용화를 추진하고 있습니다. 

 

SK는 이번 업무협약을 통해 테라파워의 차세대 SMR 기술 및 방사성 동위원소 생산 역량과 SK의 사업 영역을 연계해 다양한 사업협력 기회를 발굴해 나갈 계획입니다. 

 

SK관계자는 "그룹 관계사들이 기후 위기 극복을 위한 넷제로 추진을 결의한 후 지난해부터 지속적으로 관련 영역의 사업기회를 검토해왔다"며 "탄소 배출 없는 안전한 전력원으로써 SMR의 경쟁력에 주목해왔고 이번 양해각서를 계기로 탄소 감축을 향한 SK의 오랜 의지와 검토가 글로벌 선도 기업인 테라파워와의 다양한 사업협력으로 이어질 것으로 기대한다"고 말했습니다. 

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김용운 기자 lucky@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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