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삼성전자, 고성능·저전력 ‘32Gbps GDDR7 D램’ 개발

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Wednesday, July 19, 2023, 11:07:20

기존 제품 대비 데이터 처리 속도 1.4배, 전력 효율 20% 향상
PAM3 신호방식으로 더 많은 데이터 전송 가능
그래픽 카드 탑재시 최대 초당 1.5TB 데이터 처리

 

인더뉴스 권용희 기자ㅣ삼성전자[005930]는 차세대 그래픽 시장 성장을 주도할 '32Gbps GDDR7 D램'을 업계 최초로 개발했다고 19일 밝혔습니다.

 

'32Gbps GDDR7 D램'은 고성능·저전력 특성을 갖춘 16Gb 제품입니다. 삼성전자는 기존 대비 데이터 처리 속도는 1.4배, 전력 효율은 20% 향상됐다고 밝혔습니다.

 

삼성전자는 이번 제품에 'PAM3 신호 방식'을 신규 적용해 데이터 입출력 핀 1개당 최대 32Gbps의 업계 최고 속도를 구현한 것으로 나타났습니다.

 

'PAM3 신호 방식'은 –1, 0, 1을 신호 체계로 1주기마다 1.5비트 데이터를 전송합니다. 기존 0과 1로만 신호 체계가 구성된 NRZ 방식보다 동일 신호 주기에 1.5배 더 많은 데이터를 전송할 수 있습니다.

 

'GDDR7 D램'을 그래픽 카드에 탑재하면 최대 초당 1.5TB의 데이터를 처리할 수 있습니다. 이는 기존 최대 1.1TB를 제공하는 GDDR6 대비 1.4배 향상된 성능입니다.

 

삼성전자는 고속 동작에 최적화된 저전력 설계 기술을 적용해 전력 효율 또한 20% 개선했다고 밝혔습니다. 특히 노트북 등 저전력 특성이 중요한 응용처를 위해 초저전압을 지원하는 옵션도 제공합니다.

 

열전도율이 높은 신소재를 EMC 패키지에 적용하고, 회로 설계를 최적화해 고속 동작으로 인한 발열을 최소화했습니다. 삼성전자는 이로 인해 기존 GDDR6 대비 열저항이 약 70% 감소돼 고속 동작에서도 안정적인 품질을 제공한다고 밝혔습니다.

 

'GDDR7 D램'은 향후 차세대 고성능 컴퓨팅(HPC), 인공지능(AI), 자율주행차 등 다양한 분야에서 폭넓게 활용될 전망입니다.

 

삼성전자는 주요 고객사의 차세대 시스템에 해당 제품을 탑재해 연내 검증을 시작할 계획입니다.

 

삼성전자는 지난해 업계 최초로 '24Gbps GDDR6 D램'을 개발한데 이어, '32Gbps GDDR7 D램'도 업계 최초로 개발하며 그래픽 D램 시장에서의 기술 리더십을 더욱 공고히 하고 있습니다.

 

배용철 삼성전자 메모리사업부 상품기획팀 부사장은 "GDDR7 D램은 워크스테이션, PC, 노트북, 게임 콘솔 등 우수한 그래픽 성능이 요구되는 응용처에서 더욱 차별화된 사용자 경험을 제공할 것"이라면서 "프리미엄 그래픽 시장 수요에 맞춰 적기에 상용화하고 차세대 그래픽 D램 시장을 지속 선도해 나가겠다"고 말했습니다.

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권용희 기자 brightman@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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