인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM) 5세대 제품인 HBM3E 12단을 세계에서 가장 먼저 양산합니다.
SK하이닉스는 지난 3월 HBM3E 8단 제품을 업계 최초로 엔비디아에 납품한 지 6개월 만에 또 한 번 앞서나가며 HBM 시장 주도권을 지배하는 모습입니다.
삼성전자는 지난 2월 세계 최초로 HBM3E 12단 개발에 성공했다고 발표한 바 있고, 조만간 양산을 앞두고 있어 두 회사 간의 AI(인공지능) 반도체 시장 경쟁도 한층 더 치열해질 전망입니다.
SK하이닉스[000660]는 현존 HBM 중 최대 용량인 36GB(기가바이트)를 구현한 HBM3E 12단 신제품을 세계 최초로 양산하기 시작했다고 26일 밝혔습니다. 기존 HBM3E의 최대 용량은 3GB D램 단품 칩 8개를 수직 적층한 24GB였습니다.
HBM3E 12단은 B200A, GB200A 등 엔비디아의 최첨단 고성능 AI 반도체에 들어갈 것으로 전망됩니다.
SK하이닉스는 “양산 제품을 연내 고객사에 공급할 예정으로, 지난 3월 HBM3E 8단 제품을 업계 최초로 고객에게 납품한 지 6개월만에 또 한 번 압도적인 기술력을 증명했다”고 강조했습니다.
SK하이닉스는 또 "2013년 세계 최초로 HBM 1세대를 출시한 데 이어 5세대까지 전 세대 라인업을 개발해 시장에 공급해온 유일한 기업"이라며 "높아지고 있는 AI 기업들의 눈높이에 맞춘 12단 신제품도 가장 먼저 양산에 성공해 AI 메모리 시장에서 독보적인 지위를 이어가고 있다"고 설명했습니다.
HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치·고성능 제품으로, 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E) 순으로 개발되고 있습니다.
SK하이닉스는 HBM3E 12단 제품이 AI 메모리에 필수적인 속도·용량·안정성 등 모든 부문에서 세계 최고 수준을 충족시켰다고 밝혔습니다. 동작 속도는 현존 메모리 최고인 9.6Gbps입니다. 특히 AI 학습 훈련에서 속도를 크게 높였습니다. SK하이닉스의 신제품 4개를 탑재한 단일 GPU로 메타의 거대언어모델(LLM)인 ‘라마3 70B’를 구동할 경우 700억 개의 전체 파라미터를 초당 35번 읽어낼 수 있는 수준입니다.
또 기존 8단 제품과 동일한 두께로 3GB D램 칩 12개를 적층해 용량을 50% 늘렸습니다. 이를 위해 D램 단품 칩을 기존보다 40% 얇게 만들고 실리콘전통관극(TSV) 기술을 활용해 수직으로 쌓았습니다. 여기에 얇아진 칩을 더 높이 쌓을 때 생기는 구조적 문제도 해결했습니다.
SK하이닉스는 자사 핵심 기술인 어드밴스드 MR-MUF 공정을 이번 제품에 적용해 전 세대보다 방열 성능을 10% 높였고, 강화된 휨 현상 제어를 통해 제품의 안정성과 신뢰성을 확보했다고 설명했습니다.
SK하이닉스의 이번 제품 양산은 모건스탠리의 ‘겨울이 곧 닥친다(Winter looms)’ 보고서와 같은 D램 업황의 우려를 불식시키는 계기가 될 것으로 기대되고 있습니다.
SK하이닉스 김주선 사장(AI Infra담당)은 “다시 한번 기술 한계를 돌파하며 시대를 선도하는 독보적인 AI 메모리 리더로서의 면모를 입증했다”며 “앞으로도 AI 시대의 난제들을 극복하기 위한 차세대 메모리 제품을 착실히 준비해 ‘글로벌 1위 AI 메모리 프로바이더(Provider)’로서의 위상을 이어가겠다”고 말했습니다.
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