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한국, 중국·일본 제치고 '글로벌 혁신지수' TOP 5위 올라

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Tuesday, September 21, 2021, 00:09:14

유엔 산하 세계지식재산기구(WIPO) 20일 발표
아시아 국가 중 첫 5위 안에 들어
인적자본·연구 분야에서 3년 연속 세계 1위

 

인더뉴스 김용운 기자ㅣ한국이 유엔 산하 세계지식재산기구(WIPO)가 20일 발표한 '2021 글로벌 혁신지수' 평가에서 처음으로 전체 TOP 5위 안에 들었습니다.

 

전 세계 132개국을 대상으로 진행한 이번 평가에서 한국은 스위스, 스웨덴, 미국, 영국에 이어 5위를 차지했습니다. 아시아국가 가운데 ‘글로벌 혁신지수’ 평가에서 5위 안에 든 것은 한국이 처음입니다.

 

‘글로벌 혁신지수’는 WIPO, 유럽경영대학원(INSEAD) 등이 WIPO 회원국을 대상으로 경제발전의 중요 요소인 혁신역량을 측정해 각국 공공정책 또는 경영전략 수립에 필요한 정보를 제공하기 위해 2007년 도입했습니다.

 

한국은 지난해보다 5계단 상승하며 상위 20개국 중 혁신역량이 가장 많이 개선된 국가로 평가 받았습니다. 아시아에서는 한국에 이어 싱가포르가 8위, 중국과 일본이 각각 12위와 13위를 기록했습니다.

 

산업통상자원부와 특허청에 따르면 한국은 투입부문 5개(제도, 인적자본·연구, 인프라, 시장 고도화, 기업 고도화), 산출부문 2개(지식·기술 산출, 창의적 산출) 등 총 7개의 평가 분야 가운데 미래에 대한 투자를 평가하는 인적자본·연구 분야에서 3년 연속 세계 1위를 수성했습니다.

 

국내외 지식재산권 출원 증가 등을 평가하는 산출 부문 2개 분야에서는 지난해 10위에서 올해 5위로 크게 상승했습니다.

 

실제로 지난해 국내 지식재산권 출원은 코로나19 여파 속에서도 전년보다 9.1% 증가했습니다. WIPO 국제특허출원도 전년 대비 5.2% 증가해 독일을 제치고 11년 만에 국제특허출원 순위 4위에 올라섰습니다.

 

81개 세부지표 별로 살펴보면 한국은 특허출원, 전자정부 등 작년보다 5개 많은 9개 지표에서 세계 1위를 차지했습니다.

 

 

문화체육관광부 따르면 한국의 문화·창의서비스 수출과 상표, 세계 브랜드 가치 등의 세부지표에서도 높은 점수를 받았습니다.

 

주요 결과를 보면 '혁신투입'은 9위로 지난해보다 1단계 올랐고, 혁신산출은 5단계 상승한 10위를 차지했습니다.

 

특히 문화산업의 성과와 연관된 '창의적 성과' 분야가 지난해 14위에서 올해 8위로, 6단계 상승한 점이 순위 상승에 크게 영향을 미친 것으로 분석했습니다.

 

'창의적 성과' 분야 가운데 '문화·창의서비스 수출'이 조사에 포함된 세부지표 가운데 최대 상승폭(전년 대비 13단계 상승)을 기록했습니다. '엔터테인먼트 및 미디어 시장' 지표의 순위 역시 전년 대비 2단계 상승한 16위를 기록했습니다.

 

산업통상부 관계자는 이번 성과에 대해 "어려운 대내외 여건 속에서도 미래에 대한 투지를 지속하고, 이러한 투자가 무형 자산의 창출과 확산으로 활발히 이어진 덕분"이라고 분석했습니다.

 

문체부 관계자는 "문화·창의서비스 수출과 연관된 한국은행 지식재산권 무역수지 내의 문화예술저작권 무역수지도 꾸준히 개선되고 있어 향후 본 세부지표와 종합 순위의 지속적 향상을 기대한다“고 말했습니다.

 

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김용운 기자 lucky@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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