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[인더보드] 포스코퓨처엠 “2025년 양극재 생산능력 27.1만톤 확보”

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Monday, April 24, 2023, 15:04:25

[이사회를 통한 기업 읽기]
‘4.6만톤 규모’ 양극재 공장 추가 건설키로
완공 시 포항서만 양극재 10.6만톤 생산
연산 총 27.1만톤 양극재 생산능력 확보

 

인더뉴스 홍승표 기자ㅣ포스코퓨처엠(구 포스코케미칼)[003670]이 오는 2025년까지 27만1000톤 규모의 양극재 생산능력을 확보합니다.

 

24일 포스코퓨처엠에 따르면, 이날 이사회를 열고 오는 2025년까지 총 6148억원을 투자해 포항 영일만 4일반 산업단지에 4만6000톤 규모의 하이니켈 NCMA 양극재 공장을 추가 건설하는 안건을 승인했습니다. 양극재 공장은 올해 하반기에 착공에 들어갈 예정이며 오는 2025년 준공할 계획입니다.

 

하이니켈 NCMA 양극재는 니켈 비중을 80% 이상으로 높여 제조하며, 배터리 용량과 출력을 높이고 수명을 늘릴 수 있어 최근 전기차 고성능화 추세에 맞춰 수요가 가파르게 증가하는 추세입니다.

 

포스코퓨처엠은 현재 연산 9만톤의 광양공장을 비롯해 연산 1만톤 구미공장, 연산 5000톤 중국 저장성 절강포화 공장 등 총 10만5000톤의 양극재 생산능력을 보유 중입니다. 이번 투자결졍으로 양극재 생산능력은 오는 2025년까지 총 27만1000톤으로 늘어난다고 포스코퓨처엠 측은 설명했습니다.

 

포항의 경우 올해 하반기 준공예정인 연산 3만톤 규모의 1단계 공장과 이달 착공예정인 3만톤 규모의 2단계 공장에 더해, 24일 투자 승인된 4만6000톤 규모의 2-2단계 공장까지 준공되면 총 10만6000톤 규모의 양극재 생산단지로 변모하게 됩니다.

 

포스코퓨처엠은 제너럴모터스(GM)와 캐나다 퀘백에 연산 3만톤 규모의 양극재 합작공장도 건설 중입니다. 화유코발트와 중국 저장성에 연산 3만톤 규모의 양극재 합작공장을 건설하는 등 해외에 총 6만톤 규모의 공장을 짓는 중입니다.

 

포스코퓨처엠 관계자는 "추가 투자를 추진해 2025년까지 34만5000톤 규모의 글로벌 양극재 생산체제 로드맵을 달성할 계획"이라며 "꾸준한 R&D활동과 제품 포트폴리오 확대를 통해 글로벌 시장에서 선도적 지위를 확보해 나갈 방침"이라고 밝혔습니다.

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홍승표 기자 softman@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

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2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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