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SK이노베이션, 지난해 매출 78조·영업익 4조…역대 최대 실적

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Tuesday, February 07, 2023, 13:02:00

2022년 실적 발표
연결기준 매출 78조569억원, 영업이익 3조9989억원
고유가 및 석유 제품 수출 물양 증가 수혜

 

인더뉴스 김용운 기자ㅣSK이노베이션은 연결 기준 지난해 매출은 78조569억원, 영업이익 3조9989억원을 기록한 것으로 잠정 집계했다고 7일 공시했습니다. 

 

매출은 전년 대비 66.6% 증가했으며 영업이익은 전년보다 129.6% 증가한 수치로 매출과 영업이익 모두 역대 최대치입니다. 순이익은 1조9901억원으로 307.4% 늘었습니다. 

 

다만 지난해 4분기는 유가 하락에 따른 재고 손실 등의 여파로 매출과 순손실은 각각 19조1368억원과 3868억원을 기록, 6833억원의 영업손실을 기록했습니다. 

 

사업별 연간 실적을 보면 석유사업은 매출 52조5817억원, 영업이익 3조3911억원을 기록했습니다. 화학 사업은 매출 11조269억원, 영업이익 1271억원을 올렸습니다. 윤활유 사업도 4조9815억원, 영업이익 1조712억원을 기록했습니다. 

 

배터리 사업(SK온)은 매출 7조6177억원으로 성장세를 이어갔으나 9912억원의 영업손실을 기록했습니다. 

 

지난해 4분기 실적의 경우, 석유사업은 매출 12조1538억원, 영업손실 6612억원을 기록했습니다. SK이노베이션은 "유가 하락으로 인한 재고 관련 손실 등으로 전 분기 대비 적자 전환했다"고 밝혔습니다. 화학사업도 고정비 증가 등으로 884억원의 영업손실을 기록했습니다. 

 

윤활유 사업은 계절적 비수기에 따른 판매량 감소 탓에 영업이익은 2684억원에 머물렀습니다. 석유개발사업은 판매 물량 증가에도 유가와 가스 가격 하락 영향으로 영업이익 1166억원을 기록했습니다. 

 

배터리 사업은 신규 공장 가동에 따른 판매 물량 증가로 분기 최대인 2조8756억원의 매출을 기록했습니다. 하지만 해외 신규공장 생산량 확대에 따른 고정 원가 증가 탓에 영업손실 2566억원을 내며 전분기(-1346억원) 대비 적자폭을 키웠습니다. 

 

SK이노베이션은 지난해 실적에 대해 "4분기 유가하락에 따른 재고손실과 정제마진 축소로 인한 영업적자에도 연간 최대 영업이익을 달성했다"며 "상반기까지 이어진 유가 상승과 석유제품 수요증가에 따른 정제마진 개선, 특히 석유제품 수출물량의 대폭 증가로 연간 실적은 전년 대비 대폭 개선됐다"고 분석했습니다.

 

SK이노베이션은 실적 공시와 함께 배당 성향 30% 수준의 2022년 기말배당 시행을 결정했습니다. 대규모 투자 지출 등을 고려해 자기주식을 활용한 현물배당으로 진행할 계획입니다. 배당에 대한 최종 결정은 오는 상반기 주주총회에서 이뤄질 예정입니다. 

 

김양섭 SK이노베이션 재무부문장은 "올해 변동성이 높은 상황에서도 안정적인 재무구조 아래 운영 최적화를 통해 수익을 지속해서 창출하겠다"며 "전기 중심 사회로의 전환(Electrification)을 위한 청정 에너지 생산과 순환경제 중심의 친환경 포트폴리오 개발·투자도 차질없이 진행할 계획"이라고 말했습니다. 

 

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김용운 기자 lucky@inthenews.co.kr


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2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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