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현대차, 순수 전기차 레이스 ‘PURE ETCR’ 출전

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Thursday, June 17, 2021, 10:06:34

벨로스터 N ETCR 운영

 

인더뉴스 이진솔 기자 | 현대자동차 고성능 브랜드 N이 모터스포츠 무대에서 전동화 기술력을 선보입니다.

 

현대차(대표 정의선·하언태·장재훈)는 18일부터 20일까지 이탈리아 발레룽가(Vallelunga) 서킷에서 개최되는 ‘PURE ETCR(Electric Touring Car Racing)’ 개막전에 벨로스터 N ETCR이 첫 경기를 치른다고 17일 밝혔습니다.

 

PURE ETCR은 복수의 제조사가 참여하는 최초 순수 전기 경주용 자동차 경기로 본격적인 전동화 시대를 맞이해 전기차 레이스를 위한 기준을 세우고, 배기가스 없는 이동수단으로의 전환을 가속하기 위해 설립된 모터스포츠 대회입니다.

 

단순히 전기 경주차만 출전하는 대회가 아니라 ▲현대차그룹에서 단독으로 공급하는 수소연료전지 발전기를 사용해 전기를 공급 ▲전 경기에 사계절용 단일 타이어 모델만을 사용 ▲항공 대신 수상 운송수단을 활용 ▲경기장 내 플라스틱 사용 금지 등 광범위에 걸쳐 지속 가능한 모터스포츠를 추구하는 것이 특징입니다.

 

올해 최초로 개최되는 PURE ETCR 대회에는 기존 경주차에서 엔진이 포함된 구동계를 걷어내고 최고출력 500kW 전기모터와 65kWh 용량 배터리를 장착한 전기 경주차들이 출전합니다.

 

PURE ETCR 대회에는 ▲현대 벨로스터 N ETCR 외에도 ▲알파로메오 줄리아 ETCR ▲쿠프라 e-레이서 등이 참가해 전동화 기술력을 겨룰 예정입니다. 총 네 차례의 짧은 레이스와 결승전으로 이어지는 방식으로 경기가 치러지며 출발방식 또한 경마를 연상케 하는 스타팅 게이트(Starting Gate)에서 시작하게 됩니다.

 

또한 운전대에 위치한 버튼을 누르면 일정 시간 최대 출력을 450kW까지 끌어올려 경주차 추월을 돕는 파워 업 모드 등도 새롭게 적용했습니다. 참여 제조사와 드라이버 순위의 경우 각 레이스 및 결승전 결과에 따라 부여된 포인트를 합산하여 가장 높은 점수를 받아낸 드라이버가 우승자로 이름을 올리게 되며, 제조사의 경우 소속팀 상위 2명의 포인트를 합산하여 결정합니다.

 

현대차 관계자는 “지금까지 WRC, WTCR, 뉘르부르크링 24시 내구레이스 등 여러 모터스포츠 대회를 통해 얻은 노하우로 양산차의 기술을 단련해 왔고, 이제는 이를 전동화 무대까지 확장할 때”라며 “모터스포츠는 우리가 추구하는 기술을 시험하고 발전시키는 최적의 무대로, 이번 ETCR 참가를 통해 앞으로도 지속 가능한 친환경 모빌리티 기술을 끊임없이 단련해 나아갈 것”이라고 밝혔습니다.

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이진솔 기자 jinsol@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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