검색창 열기 인더뉴스 부·울·경

Finance 금융

하나금융, 상반기 순이익 1조7274억원…‘환차손’에 전년비 1.4%↓

URL복사

Friday, July 22, 2022, 17:07:35

2분기 순익 8천251억원…전년 동기 대비 10%↓
환율상승·특별퇴직금 등 비용 발생 영향
주당 800원 중간배당 결의

 

인더뉴스 정석규 기자ㅣ하나금융그룹[086790]이 올해 상반기 1조7274억원의 당기순이익을 거뒀습니다. 상반기 이자이익이 4조원을 넘어서고 수수료이익도 1조원에 육박하는 등 견조한 성장세를 보였지만, 전년 동기에 비해 당기순이익은 1.4% 감소했습니다. 이자이익이 소폭 증가했지만, 환율상승으로 인한 '환차손'과 특별퇴직 비용 등 각종 비용이 늘어난 영향입니다.

 

하나금융그룹은 22일 2022년 상반기 경영실적을 발표하고, 상반기 당기순이익이 1조7274억원으로 전년 동기 대비(1조7528억원) 1.4%(254억원) 감소했다고 밝혔습니다. 하나금융의 2분기 당기순이익은 8251억원으로 전년 동기 대비 10.0% 줄었습니다.

하나금융의 상반기 순익이 줄어든 것은 환율 상승으로 인한 외화자산 가치 하락의 영향입니다. 올해 들어 원화 가치가 급락하면서 하나금융이 보유한 외화자산 가치가 내리는 환차손 충격을 입은 것입니다. 하나금융이 1분기중 실시한 특별퇴직에 들어간 비용도 순익 감소에 영향을 미쳤습니다.

이자이익과 수수료이익 등 핵심이익은 증가했습니다. 하나금융의 상반기 이자이익은 4조1906억원이며, 수수료이익은 9404억원을 기록했습니다. 이 둘을 합한 핵심이익은 전년 대비 13.6%(6159억원) 증가한 수치입니다.

하나금융 관계자는 "중소기업 중심의 대출자산 증대와 외환·신용카드 수수료 이익이 증가했다"고 설명했습니다.

또한 핵심저금리성예금의 평잔 증대로 하나금융의 수익 포트폴리오는 개선됐습니다. 수시입출식 예금 등 금리가 낮은 예금에 자금이 크게 유입된 것입니다. 상반기 그룹의 순이자마진(NIM)은 1.80%를 기록했습니다. 기술력이 높은 혁신 기업에 자금을 지원하는 기술금융 지원노력도 이익 증가에 기여했습니다.

 

계열사별로 살펴보면, 핵심 계열사인 하나은행의 상반기 순익은 1조3736억원으로 전년 동기 대비 9.6%(1206억원) 늘었습니다.

하나은행의 상반기 이자이익(3조5247억원)과 수수료이익(4023억원)을 합한 핵심이익은 3조9270억원으로 전년 동기 대비 19.2%(6338억원) 증가했습니다.

하나은행의 2분기 말 고정이하여신 비율은 전분기와 동일한 0.24%이며, NPL(부실채권) 커버리지비율은 전분기 대비 9.2%p 상승한 188.4%를 기록했습니다. 하나은행의 2분기 연체율은 전분기와 동일한 0.16%로 안정적인 수준을 유지했습니다.

하나증권의 상반기 당기순이익 1391억원을 기록했으며, 같은 기간 하나캐피탈은 1631억원, 하나카드는 1187억원의 당기순이익을 기록했습니다. 하나자산신탁은 501억원, 하나저축은행은 145억원, 하나생명은 109억원의 상반기 당기순이익을 시현했습니다.

한편 하나금융은 대내외 불확실성에 대비한 상반기 누적 1846억원의 선제적 대손충당금을 적립했습니다. 선제적 대손충당금을 포함한 충당금 등 전입액은 전년 동기 대비 105.6%(2168억원) 증가한 4222억원입니다.

이날 하나금융 이사회는 주당 800원의 중간배당을 실시하기로 결의하며 지속적인 주주친화 정책을 이어갔습니다.

English(中文·日本語) news is the result of applying Google Translate. <iN THE NEWS> is not responsible for the content of English(中文·日本語) news.

배너

More 더 읽을거리

정석규 기자 itnno1@inthenews.co.kr


삼성전자 “세계 최초로 업계 최고 성능 HBM4 양산 출하”

삼성전자 “세계 최초로 업계 최고 성능 HBM4 양산 출하”

2026.02.12 15:28:40

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]는 세계 최초로 업계 최고 성능의 HBM4를 양산 출하하며 본격적인 HBM4 시장 선점에 나선다고 12일 밝혔습니다. 삼성전자는 HBM4 개발 착수 단계부터 JEDEC(반도체 표준 제정 국제 산업 표준 기구) 기준을 상회하는 성능 목표를 설정해 개발을 추진해 왔으며, 이번 제품에는 최선단 공정 1c D램(10나노급 6세대)을 선제적으로 도입해 재설계 없이 양산 초기부터 안정적인 수율과 업계 최고 수준의 성능을 확보했다고 설명했습니다. 황상준 삼성전자 메모리개발담당 부사장은 "삼성전자 HBM4는 기존에 검증된 공정을 적용하던 전례를 깨고 1c D램 및 Foundry 4나노와 같은 최선단 공정을 적용했다"라며 "공정 경쟁력과 설계 개선을 통해 성능 확장을 위한 여력을 충분히 확보함으로써 고객의 성능 상향 요구를 적기에 충족할 수 있었다"라고 말했습니다. 삼성전자는 HBM4 기술 경쟁력 강화를 위해 1c D램을 적용하는 한편, 베이스 다이의 특성을 고려해 성능과 전력 효율 측면에서 유리한 4나노 공정을 적용했습니다. 그 결과 삼성전자 HBM4는 JEDEC 업계 표준인 8Gbps를 약 46% 상회하는 11.7Gbps의 동작 속도를 안정적으로 확보하며 HBM4 성능의 새로운 기준을 제시했습니다. 이는 전작 HBM3E의 최대 핀 속도인 9.6Gbps 대비 약 1.22배 향상된 수치이며 최대 13Gbps까지 구현이 가능해 AI 모델 규모가 커질수록 심화되는 데이터 병목을 효과적으로 해소할 것으로 기대됩니다. 삼성전자의 HBM4는 단일 스택 기준 총 메모리 대역폭을 전작 HBM3E 대비 약 2.7배 향상된 최대 3.3TB/s 수준으로 끌어올려 고객사 요구 수준인 3.0TB/s를 상회하는 성능을 확보했습니다. 또 12단 적층 기술을 통해 24GB~36GB의 용량을 제공합니다. 삼성전자는 고객사의 제품 일정에 맞춰 16단 적층 기술을 적용해 최대 48GB까지 용량을 확장할 계획입니다. 삼성전자는 데이터 전송 I/O 핀 수가 1024개에서 2048개로 확대됨에 따라 발생하는 전력 소모와 열 집중 문제를 해결하기 위해 코어 다이에 저전력 설계 기술을 적용했습니다. 또한, TSV 데이터 송수신 저전압 설계 기술 적용과 전력 분배 네트워크(PDN) 최적화를 통해 전 세대 대비 에너지 효율을 약 40% 개선했으며 열 저항 특성은 약 10%, 방열 특성은 약 30% 향상했습니다. 삼성전자는 "이번 제품은 데이터센터 환경에 최적화된 최고 수준의 성능과 안정적인 신뢰성을 동시에 갖췄다"며 "고객사는 이를 통해 GPU 연산 성능을 극대화하는 한편 서버·데이터센터 단위의 전력 소모와 냉각 비용을 절감하는 효과를 기대할 수 있다"고 설명했습니다. 향후 HBM이 고도화됨에 따라 베이스 다이의 역할이 더욱 중요해질 것으로 전망됩니다. 삼성전자는 자체적으로 보유한 파운드리 공정과 HBM 설계 간의 DTCO(Design Technology Co-Optimization) 협업을 통해 품질과 수율을 동시에 확보한 최고 수준의 HBM을 지속적으로 개발한다는 계획입니다. 또 선단 패키징 역량을 자체적으로 보유하고 있어 공급망 리스크를 최소화하는 한편, 생산 리드타임을 단축할 수 있는 경쟁력을 갖추고 있다고 밝혔습니다. 삼성전자는 글로벌 주요 GPU 및 자체 칩을 설계·개발하는 차세대 ASIC 기반 하이퍼스케일러 고객사들로부터 HBM 공급 협력 요청을 지속적으로 받고 있으며 이들과의 기술 협력을 확대할 계획입니다. 삼성전자는 이러한 시장 흐름 속에서 2026년 당사의 HBM 매출이 2025년 대비 3배 이상 증가할 것으로 보고 HBM4 생산 능력을 선제적으로 확대하고 있습니다. 삼성전자는 업계 최대 수준의 D램 생산능력과 선제적인 인프라 투자를 통해 확보해 온 클린룸을 기반으로 HBM 수요가 확대될 경우에도 단기간 내 유연하게 대응할 수 있는 생산 역량을 갖추고 있습니다. 또한, 2028년부터 본격 가동될 평택사업장 2단지 5라인은 HBM 생산의 핵심 거점으로 활용될 예정이며 AI·데이터센터 중심의 중·장기 수요 확대 국면에서도 안정적인 공급 대응 역량을 지속적으로 확보할 예정입니다. 삼성전자는 HBM4에 이어 HBM4E도 준비 중으로 2026년 하반기에 샘플을 출하할 계획입니다. 또한 커스텀 HBM도 2027년부터 고객사별 요구에 맞춰 순차 샘플링을 시작할 예정입니다. 삼성전자는 HBM4 양산 과정에서 확보한 1c 공정 기반의 품질과 공급 안정성은 향후 HBM4E 및 커스텀 HBM 등 고부가 제품으로의 전환 과정에서도 중요한 경쟁 요소가 될 것으로 기대하고 있습니다.




배너