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LG전자, 중국 TCL 상대 ‘LTE 표준특허’ 소송 승소

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Tuesday, March 09, 2021, 10:03:00

LG 특허 적용한 TCL 휴대전화 독일 판매금지 신청할 예정

 

인더뉴스 이진솔 기자 | LG전자가 중국 전자회사 TCL을 상대로 제기한 특허침해 금지소송에서 승소했습니다.

 

9일 LG전자(대표 권봉석)에 따르면 지난 2일(현지 시간) 독일 만하임 지방법원은 LG전자가 2019년 11월 TCL을 상대로 제기한 ‘LTE 표준특허’ 침해 금지 소송에서 LG전자 측 손을 들어줬습니다. 이번 결과는 LG전자가 제기한 특허 침해 금지 소송 총 3건 중 1건에 대한 것으로 나머지 재판은 각각 3월과 5월에 진행됩니다.

 

소송은 TCL이 판매하고 있는 피처폰과 스마트폰에 적용한 일부 기술이 LG전자가 보유한 ‘LTE 표준특허’를 침해했다는 것이 골자입니다. 표준특허란 관련 제품에서 특정 기능을 구현하기 위해 반드시 사용할 수밖에 없는 필수 기술 특허를 말합니다.

 

LG전자는 판결을 토대로 TCL이 LG전자 LTE 통신표준특허를 적용한 휴대전화를 독일에서 판매하지 못하도록 할 예정입니다.

 

조휘재 LG전자 특허센터장 상무는 “특허는 부단한 기술혁신의 결실이자 차세대 사업 경쟁력의 근원”이라며 “자사의 특허 가치에 상응하는 대가 없이 무단 사용하는 행위에 대해서는 지속·엄정하게 대처할 것”이라고 말했습니다.

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이진솔 기자 jinsol@inthenews.co.kr


SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

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2024.04.19 10:02:01

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]가 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 대만 TSMC와 협력하기로 했다고 19일 밝혔습니다. 양사는 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM) 개발을 위해 최근 대만 타이페이에서 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했습니다. SK하이닉스는 "AI 메모리 글로벌 리더인 당사는 파운드리 1위 기업 TSMC와 힘을 합쳐 또 한번의 HBM 기술 혁신을 이끌어 내겠다"며 "고객-파운드리-메모리로 이어지는 3자간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것"이라고 강조했습니다. 양사는 우선 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이(Base Die)의 성능 개선에 나섭니다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV 기술로 수직 연결해 만들어집니다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행합니다. SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나 HBM4부터는 로직(Logic) 선단 공정을 활용할 계획입니다. 다이를 생산하는 데 초미세 공정을 적용하면 다양한 기능을 추가할 수 있기 때문입니다. 이를 통해 성능과 전력 효율 등 고객들의 요구에 부합하는 맞춤형 HBM을 생산한다는 것이 SK하이닉스의 설명입니다. 이와 함께, 양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 'CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)' 기술 결합을 최적화하기 위해 협력하고, HBM 관련 고객사 요청에 공동 대응하기로 했습니다. 'CoWoS'는 TSMC가 특허권을 갖고 있는 고유의 공정으로 특수 기판 인터포저(Interposer) 위에 로직 칩인 GPU/xPU와 HBM을 올려 연결하는 패키징 방식입니다. 김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra담당)은 "TSMC와의 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것은 물론, 글로벌 고객들과의 개방형 협업에도 속도를 낼 것"이라며 "앞으로 당사는 고객맞춤형 메모리 플랫폼 경쟁력을 높여 '토털 AI 메모리 프로바이더'의 위상을 확고히 하겠다"고 말했습니다.


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